wersja mobilna
Online: 724 Sobota, 2017.03.25

Biznes

Na słabnącym rynku DRAM firmy przechodzą do procesu 30nm

środa, 15 grudnia 2010 07:44

Po rekordowo dobrym I półroczu na rynku DRAM, obecnie analitycy obserwują początek spowolnienia, z oznakami słabnącego popytu i zwiększającej się podaży. Według agencji VLSI w październiku br. liczba transakcji pomiędzy dostawcami a odbiorcami pamięci DRAM zaczęła szybko maleć, co nienajlepiej też wróży rynkowi produkcji kontraktowej. Jednocześnie trwa wyścig dostawców na unowocześnienie procesu produkcyjnego, którego liderem staje się Samsung, wprowadzając na rynek 35-nanometrowe układy DRAM.

Rys. 1. Dostawy pamięci DRAM według iSuppli z prognozą z sierpnia 2010 r. i procentowy wzrost dostaw (w milionach układów 1 Gbit i podobnych)

Nowe pamięci firmy to układy DDR3 SDRAM o pojemności 2-Gbit. Zapowiadane już wcześniej przez Samsunga układy tej klasy znajdą zastosowanie w serwerach centrów obliczeniowych i pecetach. W porównaniu do urządzeń wykonanych w technologii klasy 40nm, według producenta pracują one przy poborze mocy niższym co najmniej o 14%. Nowe pamięci działają z napięciem zasilającym 1,35V i są taktowane częstotliwościami 1,066-, 1,330-, 1,866- oraz 2,133-MHz.

W rywalizacji biorą udział również pozostali wielcy producenci DRAM, Elpida, Hynix i Micron. We wrześniu br. roku Elpida zdołała dokończyć rozwój technologii DDR3 SDRAM. Te 2-gigabitowe układy również pracują z napięciem 1,35V i z częstotliwością 1,8 GHz, firma planuje produkcję pilotażową jak i seryjną od grudnia 2010 r. Hynix dostarcza na rynek układy 40-nanometrowe i przyspiesza prace nad procesem klasy 30-nm. Wykonane w tym procesie pamięci DDR3 mają zostać wprowadzone na rynek w pierwszej połowie 2011 r.

Micron z kolei dokonał przejścia z 50nm do 42nm, jednak w III kw. wymiernie obniżyły się obroty tej firmy na rynkach zarówno układów DRAM jak i NAND, poinformował VLSI. Za przyczynę spadków analitycy uznają zastój w sektorze komputerów PC, największym rynku dla pamięci DRAM. Pozytywne dla producentów pamięci operacyjnych sygnały płyną natomiast z utrzymującej się dobrej sprzedaży innych urządzeń, takich jak telefony komórkowe, tablety PC i smartbooki. (MT)

 

World News 24h

sobota, 25 marca 2017 07:52

SEMI announced recipients of the European SEMI Award for 2016: Rolf Aschenbrenner, deputy director of the Fraunhofer IZM; Eric Beyne, fellow and program director of 3D System Integration at imec; and Gilles Poupon, CEA fellow on advanced packaging and 3D integration at CEA-Leti. Since 1989, the European SEMI Award has been presented for significant contributions to the European semiconductor and related industries. The three winners were nominated and selected by peers within the international semiconductor community in recognition of outstanding contributions in the field of 3D Integration.

więcej na: www.semi.org