wersja mobilna
Online: 650 Piątek, 2017.06.23

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 22 czerwca 2017 19:57

It might sound discouraging, but here it goes - according to analyst Timothy Arcuri of Cowen and Company, Apple still hasn't decided what fingerprint technology will utlimately end up in the new and coming iPhone. Mind you, we're less than three months away from this year's September keynote. If the rumor is true, this means the handset is anything but finalized. Thus, its retail launch could face a significant delay of as many as two months following the announcement. Confident in his information, Arcuri has taken the new iPhone out of Cowen's 46 million sales forecast for the third quarter of 2017.

więcej na: www.phonearena.com