wersja mobilna
Online: 555 Wtorek, 2016.09.27

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

poniedziałek, 26 września 2016 20:00

SiTime Corporation introduced an innovative Elite Platform encompassing Super-TCXOs and oscillators. These precision devices are engineered to solve long-standing timing problems in telecommunications and networking equipment. With the Elite Platform, communications equipment can deliver the highest performance, best reliability and highest quality of service, even in the presence of environmental stressors.

więcej na: www.sitime.com