wersja mobilna
Online: 550 Niedziela, 2016.12.04

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

sobota, 03 grudnia 2016 19:52

ClassOne Technology announced the formation of a Board of Advisors. This body will be made up of highly-regarded senior executives from the semiconductor industry who will provide their perspective and guidance to ClassOne as it navigates the expansion of its operations. Three distinguished industry notables, Larry Murphy, Eric Choh and Tom Pilla have been named to the board.

więcej na: classone.com