wersja mobilna
Online: 522 Poniedziałek, 2017.02.20

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

poniedziałek, 20 lutego 2017 19:58

China silicon foundry Shanghai Huali Microelectronics is considering whether to adopt FD-SOI reports Digitimes. HLMC, owned by the Shanghai local government, has a CMOS development programme with Imec and makes ICs for MediaTek. It views FD-SOI as a low-cost alternative to finfet. Consumer applications, where China fabless design companies typically focus, are often more suitable to the low mask count, low power, lower cost FD-SOI process than finfet.

więcej na: www.electronicsweekly.com