wersja mobilna
Online: 1162 Niedziela, 2017.04.23

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

niedziela, 23 kwietnia 2017 19:58

Gaming notebook shipments are expected to grow over 20% on year in 2017 from more than four million units shipped a year earlier thanks to price cuts by vendors and rising demand for virtual reality applications, according to industry sources. Taiwan-based Micro-Star International and Asustek Computer have been the top-2 players in the segment, indicated the sources. MSI, which released over 50 gaming notebooks in 2016, is expected to see shipments of its gaming notebooks increase by 20% on year in 2017, the sources estimated.

więcej na: www.digitimes.com