wersja mobilna
Online: 365 Czwartek, 2017.01.19

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

środa, 18 stycznia 2017 19:55

Hon Hai Precision Industry Co. Chairman Terry Gou reportedly met with senior officials in China to assuage them over the firm's future in the country. Hon Hai had reportedly told U.S. President-elect Donald Trump it would create new jobs in the U.S. as part of a joint investment with the Japanese SoftBank Group. Gou had already said in December that he had "no intention" of moving Foxconn out of China and that it was still too early to say if the company would expand manufacturing presence in the U.S.

więcej na: www.chinapost.com.tw