Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

| Gospodarka Artykuły

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4
Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

Powiązane treści

pokaż więcej

Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka

Zobacz więcej w temacie: Artykuły

Zobacz również

Poprzedni artykuł

Rentowność Zelmera będzie rosła

Środa, 18 Maj 2011 | Gospodarka

Następny artykuł

Infineon skarży Atmela o mikrokontrolery

Czwartek, 19 Maj 2011 | Gospodarka