wersja mobilna
Online: 728 Piątek, 2017.07.21

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

piątek, 21 lipca 2017 18:00

Some 100 billion chips built on ARM Holdings technology will be shipped in the next four years, as many as in the company's entire history so far, thanks to demand tied to the so-called internet of things, CEO Simon Segars told The Nikkei. "We are looking to build this platform of technologies," Segars said - a "computing platform that all of these applications will rely on." The British chip developer, which was founded in 1990, is shifting focus from smartphone-related to IoT-related products, which Segars considers the future.

więcej na: asia.nikkei.com