wersja mobilna
Online: 518 Wtorek, 2017.05.30

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

wtorek, 30 maja 2017 10:00

Samsung SDI plans to take the covers off its new residential energy storage system products, which use differentiated design technology, to pre-empt the highly potential market. The Seoul-based company said it will display its full ESS lineup at Intersolar Europe 2017. Samsung SDI will also demonstrate the world's largest utility-scale ESS and high-voltage ESS modules. As electricity-powered devices catch on, ESS has emerged as a big business. A residential ESS is a battery system installed in a home. Its main purpose is to store electricity generated by solar panels in system batteries for later use.

więcej na: www.koreatimes.co.kr