wersja mobilna
Online: 569 Środa, 2017.08.23

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

środa, 23 sierpnia 2017 15:56

Japan's Toshiba Corp is prioritizing talks with Western Digital to sell its memory chip business, as negotiations with a previously preferred bidder have stalled. Shares in the conglomerate, which is scrambling to sell its flash memory unit for around $18 billion to cover losses from its bankrupt U.S. nuclear business Westinghouse, rose 4.6 percent to 316 yen by the end of morning trade as the report lifted hopes of an imminent deal. In June, Toshiba picked a consortium including Japanese government-backed funds, private equity firm Bain Capital and South Korean chip maker SK Hynix as the preferred bidder for the prized unit.

więcej na: www.reuters.com