wersja mobilna
Online: 582 Środa, 2017.09.20

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

środa, 20 września 2017 11:58

Seoul Semiconductor Co. announced that it has filed a patent infringement lawsuit, together with its affiliate, Seoul Viosys Co., against Archipelago Lighting, Inc. in the U.S. District Court for the Central District of California. In its complaint, Seoul asserts that Archipelago Lighting is selling various LED bulb products, including filament LED bulbs, that infringe on 12 patents covering aspects of Seoul’s long-established Acrich technology. These Acrich patents include fundamental LED technologies, such as LED driver technology for high-voltage operation, MJT, filament LED bulb structure, LED packaging, LED epitaxial growth, LED chip fabrication, etc.

więcej na: www.seoulsemicon.com