wersja mobilna
Online: 496 Sobota, 2016.12.10

Biznes

Hynix i Toshiba zawiązali współpracę przy rozwoju MRAM

piątek, 05 sierpnia 2011 10:22

Hynix i Toshiba zdecydowali o podjęciu strategicznej współpracy przy tworzeniu technologii pamięci magnetorezystancyjnej STT-MRAM (Spin-Transfer Torque MRAM), szybko rozwijającego się urządzenia pamięci następnej generacji. Po opracowaniu technologii firmy planują wspólne wytwarzanie produktów MRAM poprzez spółkę joint-venture.

Według Toshiby technologia pamięci MRAM pozwoli jej w przyszłości uzyskiwać zwrot z działalności na rynku półprzewodników. Hynix dysponuje z kolei jedną z bardziej zaawansowanych technologii produkcyjnych, specjalizując się w optymalizacji procesu wytwarzania i niskich kosztach. Jeden z powodów współpracy obu firm to zminimalizowanie ryzyka związanego z rozwojem nowej technologii oraz przyspieszenie tempa jej upowszechnienia na rynku.

MT

 

World News 24h

piątek, 09 grudnia 2016 16:12

Nantero has raised $21 million in funding for its carbon nanotube memory devices, which are an alternative to mainstream semiconductor chips. The Woburn, Mass.-based company makes nonvolatile random access memory (NRAM), which can be used in a variety of products, such as smartphones, tablets, enterprise systems, and notebook and desktop computers, as well as applications in the automotive and industrial markets.

więcej na: venturebeat.com

Produkty