wersja mobilna
Online: 648 Czwartek, 2017.09.21

Biznes

Hynix i Toshiba zawiązali współpracę przy rozwoju MRAM

piątek, 05 sierpnia 2011 10:22

Hynix i Toshiba zdecydowali o podjęciu strategicznej współpracy przy tworzeniu technologii pamięci magnetorezystancyjnej STT-MRAM (Spin-Transfer Torque MRAM), szybko rozwijającego się urządzenia pamięci następnej generacji. Po opracowaniu technologii firmy planują wspólne wytwarzanie produktów MRAM poprzez spółkę joint-venture.

Według Toshiby technologia pamięci MRAM pozwoli jej w przyszłości uzyskiwać zwrot z działalności na rynku półprzewodników. Hynix dysponuje z kolei jedną z bardziej zaawansowanych technologii produkcyjnych, specjalizując się w optymalizacji procesu wytwarzania i niskich kosztach. Jeden z powodów współpracy obu firm to zminimalizowanie ryzyka związanego z rozwojem nowej technologii oraz przyspieszenie tempa jej upowszechnienia na rynku.

MT

 

World News 24h

środa, 20 września 2017 19:59

Wisconsin Governor Scott Walker signed a US$3 billion incentive package for Foxconn Technology Group to build a flat-screen plant in southeastern Wisconsin, a deal he says would provide thousands of jobs for generations. The US Republican governor signed the bill during a ceremony at Gateway Technical College in Racine County, where the plant will likely be built. “This is about far into the future,” Walker said. “This is about ensuring our children and our children’s children will have those kind of, really, generational-type opportunities. This is one of those things that’s transformational.”

więcej na: www.taipeitimes.com