wersja mobilna
Online: 1309 Czwartek, 2017.03.23

Biznes

Intel i IBM organizują w Nowym Jorku centrum R&D

poniedziałek, 03 października 2011 10:31

Szereg firm półprzewodnikowych z Intelem i IBM na czele zainwestują w ciągu pięciu lat 4,4 mld dol. w utworzenie wielkiego ośrodka badań i rozwoju w Nowym Jorku, aby zająć się opracowaniem technologii układów nowych generacji, poinformował pod koniec września br. gubernator Nowego Jorku Andrew Cuomo.

Inwestycja skupi się wokół dwóch projektów, IBM wraz z partnerami zajmą się opracowaniem kolejnych dwóch generacji półprzewodników, a Intel będzie przewodniczył pracom tzw. Konsorcjum Global 450 nad rozwojem technologii procesu stosowanego na płytkach o średnicy 450mm.

Zgodnie z oświadczeniem gubernatora Cuomo, w pracach badawczo-rozwojowych prowadzonych przez Intela uczestniczyć mają IBM, TSMC, Globalfoundries i Samsung. Z kolei IBM z partnerami, Samsungiem i Globalfoundries, zajmą się opracowaniem układów w rozmiarach charakterystycznych 22nm i 14nm.

W 4,4-miliardowym projekcie udział IBM wyniesie 3,6 mld dol. Według informacji Cuomo prace badawczo-rozwojowe pozwolą utworzyć w Nowym Jorku około 4400 nowych oraz utrzymać dalsze 2600 miejsc pracy.

MT

 

World News 24h

czwartek, 23 marca 2017 14:00

The silicon-based cells that make up a solar panel have a theoretical efficiency limit of 29 percent, but so far that number has proven elusive. Practical efficiency rates in the low-20-percent range have been considered very good for commercial solar panels. But researchers with Japanese chemical manufacturer Kaneka Corporation have built a solar cell with a photo conversion rate of 26.3 percent, breaking the previous record of 25.6 percent. Although it’s just a 2.7 percent increase in efficiency, improvements in commercially viable solar cell technology are increasingly hard-won.

więcej na: arstechnica.com