wersja mobilna
Online: 572 Sobota, 2017.05.27

Biznes

Najmniejszy tranzystor na bazie indu i galu może zakończyć dominację krzemu

czwartek, 13 grudnia 2012 12:14

Naukowcy z MIT opracowali najmniejszy tranzystor jaki kiedykolwiek zbudowano. Do jego wykonania posłużył półprzewodnikowy związek na bazie indu i galu - InGaAs. Dni panowania krzemu w urządzeniach elektronicznych mogą być zatem policzone. Aby sprostać zapotrzebowaniu na coraz szybsze urządzenia komputerowe, wymiary tranzystorów są stale zmniejszane. Tranzystor opracowany w Massachusetts Institute of Technology ma zaledwie 22 nanometry grubości.

- Im więcej tranzystorów można upakować w chipie, tym mocniejszy będzie układ i będzie wykonywał więcej funkcji. Gdy jednak tranzystory krzemowe są redukowane do skali nanometrowej, obniżana jest też wartość prądu, który może być wytwarzany przez urządzenia, co ogranicza szybkość ich pracy. To prowadzi do obaw, że prawo Moore'a, czyli przewidywane przez założyciela firmy Intel, Gordona Moore, podwajanie co dwa lata liczby tranzystorów w mikroprocesorach, może właśnie dobiegać końca - mówił jeden ze współtwórców najmniejszego tranzystora, profesor Jesús del Alamo.

Aby utrzymać prawo Moore'a przy życiu, od pewnego czasu badane są alternatywy dla krzemu, które potencjalnie mogą wytwarzać większy prąd nawet podczas pracy przy mniejszych skalach. Jednym z takich materiałów jest związek indu i arsenku galu, który jest już używany w światłowodowych technologiach komunikacyjnych i radarowych, i wiadomo, że ma bardzo dobre właściwości elektryczne. Naukowcy z MIT udowodnili, że możliwe jest zbudowanie tranzystora polowego MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) o nanometrowej wielkości. Ten rodzaj tranzystorów jest najczęściej wykorzystywany w mikroprocesorach. - Pokazaliśmy, że można zrobić bardzo małe tranzystory MOSFET z arsenku indu i galu, mające doskonałe właściwości logiczne, które przesuną prawo Moore'a poza zasięg krzemu - mówił del Alamo.

Kolejnym krokiem naukowców będzie praca na rzecz poprawy parametrów elektrycznych, a tym samym szybkości tranzystora, poprzez eliminację niepożądanego oporu wewnętrznego. Kiedy zostanie to osiągnięte, ostatecznym celem będzie zmniejszenie wielkości bramki do poniżej 10 nanometrów.

źródło: Massachusetts Institute of Technology

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

sobota, 27 maja 2017 08:08

LED packaging service provider Everlight Electronics is expanding its packaging capacity from 4.5 billion LED chips to 5.5 billion units a month, with the additional capacity to be specifically for fine pixel pitch displays, automotive lighting and infrared devices. The new capacity will come into operation in third-quarter 2017, said the sources. Mainly due to fast growing demand in the China market, global demand for fine pixel pitch LED displays in 2017 is estimated to increase 30-40% on year and Everlight will expand monthly packaging capacity for the product line to one billion LED chips, the sources said.

więcej na: www.digitimes.com