wersja mobilna
Online: 546 Środa, 2017.07.26

Biznes

Najmniejszy tranzystor na bazie indu i galu może zakończyć dominację krzemu

czwartek, 13 grudnia 2012 12:14

Naukowcy z MIT opracowali najmniejszy tranzystor jaki kiedykolwiek zbudowano. Do jego wykonania posłużył półprzewodnikowy związek na bazie indu i galu - InGaAs. Dni panowania krzemu w urządzeniach elektronicznych mogą być zatem policzone. Aby sprostać zapotrzebowaniu na coraz szybsze urządzenia komputerowe, wymiary tranzystorów są stale zmniejszane. Tranzystor opracowany w Massachusetts Institute of Technology ma zaledwie 22 nanometry grubości.

- Im więcej tranzystorów można upakować w chipie, tym mocniejszy będzie układ i będzie wykonywał więcej funkcji. Gdy jednak tranzystory krzemowe są redukowane do skali nanometrowej, obniżana jest też wartość prądu, który może być wytwarzany przez urządzenia, co ogranicza szybkość ich pracy. To prowadzi do obaw, że prawo Moore'a, czyli przewidywane przez założyciela firmy Intel, Gordona Moore, podwajanie co dwa lata liczby tranzystorów w mikroprocesorach, może właśnie dobiegać końca - mówił jeden ze współtwórców najmniejszego tranzystora, profesor Jesús del Alamo.

Aby utrzymać prawo Moore'a przy życiu, od pewnego czasu badane są alternatywy dla krzemu, które potencjalnie mogą wytwarzać większy prąd nawet podczas pracy przy mniejszych skalach. Jednym z takich materiałów jest związek indu i arsenku galu, który jest już używany w światłowodowych technologiach komunikacyjnych i radarowych, i wiadomo, że ma bardzo dobre właściwości elektryczne. Naukowcy z MIT udowodnili, że możliwe jest zbudowanie tranzystora polowego MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) o nanometrowej wielkości. Ten rodzaj tranzystorów jest najczęściej wykorzystywany w mikroprocesorach. - Pokazaliśmy, że można zrobić bardzo małe tranzystory MOSFET z arsenku indu i galu, mające doskonałe właściwości logiczne, które przesuną prawo Moore'a poza zasięg krzemu - mówił del Alamo.

Kolejnym krokiem naukowców będzie praca na rzecz poprawy parametrów elektrycznych, a tym samym szybkości tranzystora, poprzez eliminację niepożądanego oporu wewnętrznego. Kiedy zostanie to osiągnięte, ostatecznym celem będzie zmniejszenie wielkości bramki do poniżej 10 nanometrów.

źródło: Massachusetts Institute of Technology

 

World News 24h

środa, 26 lipca 2017 16:02

HMD is preparing to unveil its flagship Nokia-branded Android phone next month. The phone maker has started sending media invites to an event in London on August 16th, just days after a Nokia 8 handset leaked. The new Nokia 8 is expected to be unveiled on August 16th, and it will mark the first time a Nokia-branded Android device ships with Carl Zeiss optics. The Nokia 8 is rumored to include a dual-camera system with 13-megapixel sensors and Carl Zeiss optics.

więcej na: www.theverge.com