wersja mobilna
Online: 688 Czwartek, 2017.05.25

Biznes

"Produkt Roku" dla Ericssona od magazynu Electronic Products

środa, 23 stycznia 2013 11:54

Firma Ericsson zdobyła nagrodę "Produkt roku" magazynu Electronic Products, jednego z najważniejszych czasopism dla inżynierów elektroników. Tytuł przyznano nowatorskim przetwornicom cyfrowym DC/DC 3E BMR456 i BMR457 z serii Advanced Bus Converters. Redakcja poddała ocenie tysiące produktów wprowadzonych na rynek w 2012 r.

Nagrody "Produkt Roku 2012" zostały opublikowane w styczniowym numerze magazynu. Zwycięzców wybrano na podstawie takich kryteriów, jak innowacyjna konstrukcja, zaawansowana technologia, nowatorskie zastosowania oraz istotny postęp w zakresie cen i wydajności. Najważniejsze zalety nagrodzonych przetwornic DC/DC 3E to: Enhanced Performance - wysoka wydajność, Energy Management - zarządzanie zużyciem energii oraz End-user Value - korzyści dla użytkowników.

- Jesteśmy bardzo zadowoleni z otrzymania tej prestiżowej nagrody Electronic Products. To ważny wyraz uznania branży dla zaawansowanych możliwości dynamicznej regulacji napięcia szyny oferowanych przez przetwornice BMR456 i BMR457. Pozwalają one zmniejszyć pobór mocy płyty o 3 do 10% w zależności od zastosowania, co daje istotne oszczędności energii - powiedział Patrick Le Fèvre, dyrektor ds. marketingu i komunikacji Ericsson Power Modules.

Firma Ericsson zdobyła ostatnio także kilka innych nagród. W poprzednim miesiącu otrzymała nagrodę w kategorii "Green Electronics" (Ekologiczna elektronika) w konkursie Electronics Weekly Elektra 2012 w Londynie, a wcześniej moduł BMR457 Advanced Bus Converter został umieszczony na liście 10 najlepszych przetwornic DC/DC magazynu Electronic Products China. Ponadto firma Ericsson, dzięki wysokiemu poziomowi inwestycji w ochronę środowiska, weszła do finału konkursu E-Legacy brytyjskiego wydawnictwa Electronic Product Design.

źródło: Ericsson

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 25 maja 2017 17:52

Samsung Electronics Co. updated its foundry technology roadmap, including detailing its second-generation FD-SOI platform, several bulk silicon FinFET processes down to 5nm and a 4nm “post FinFET” structure process set to be in risk production in 2020. Samsung, which formally broke its foundry operation into a separate business unit called Samsung Foundry last week, also reiterated previously announced plans to put extreme ultraviolet lithography into production in 2018 at the 7nm node.

więcej na: www.eetimes.com

Produkty