wersja mobilna
Online: 1069 Poniedziałek, 2017.05.29

Biznes

Era europejskich układów w technologii 65nm rozpoczęta

czwartek, 23 lutego 2006 02:00

Infineon (Monachium, Niemcy) zademonstrował pod koniec stycznia pierwsze próbki układów logicznych wyprodukowanych w technologii 65nm. Układy testowe, które powstały przy współpracy z firmami IBM, Chartered Semiconductors oraz Samsung, zawierają m.in. procesor bazujący na ARM9, układ DSP, układy RF oraz pamięci SRAM i ROM. Infineon zamierza rozpocząć produkcję seryjną układów w technologii 65nm w czwartym kwartale tego roku. Początkowo mają to być układy logiczne System-on-chip do zastosowań w urządzeniach przenośnych, w szczególności telefonach komórkowych.


Zgodnie ze strategią firmy, Infineon ma stopniowo rezygnować z wytwarzania układów scalonych we własnych wytwórniach półprzewodników. Cała produkcja układów 65nm ma odbywać się w Chartered Semiconductor (Singapur), w której docelowo ma być wytwarzana również większość przyszłych układów Infineona w najnowszych technologiach. Zmiana strategii i bliska współpraca z singapurskim partnerem ma pozwolić niemieckiemu producentowi na wytwarzanie układów najnowszych generacji przy jednoczesnym braku konieczności ponoszenia dużych inwestycji kapitałowych we własne linie produkcyjne.


Infineon współpracuje również obecnie z Nanya Technology (Taoyuan, Tajwan) w zakresie pamięci DRAM. Według przedstawicieli firm niedługo powinna nastąpić premiera układów testowych DRAM wykonanych w technologii 70nm.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

poniedziałek, 29 maja 2017 17:49

Texas Instruments introduced two new device families that help reduce size and weight in motor drive applications. When used together, DRV832x brushless DC gate drivers and CSD88584/99 NexFET Power Blocks require as little as 511 mm², half the board space of competing solutions. The DRV832x BLDC gate drivers feature a smart gate-drive architecture that eliminates up to 24 components traditionally used to set the gate drive current while enabling designers to easily adjust field-effect transistor (FET) switching to optimize power loss and electromagnetic compliance.

więcej na: newscenter.ti.com

Produkty