wersja mobilna
Online: 643 Poniedziałek, 2017.08.21

Biznes

Germanan - cienka warstwa germanu zastąpi krzem w półprzewodnikach

piątek, 19 kwietnia 2013 11:12

Ten sam materiał, który służył do budowy pierwszych prymitywnych tranzystorów więcej niż 60 lat temu można zmodyfikować tak, by stał się nową drogą rozwoju elektroniki. Chemicy z Uniwersytetu Stanowego Ohio opracowali technologię wytwarzania arkuszy germanu o grubości jednego atomu. Jak twierdzą, przewodzi on elektrony ponad dziesięć razy szybciej niż krzem i pięć razy szybciej niż konwencjonalny german.

Struktura materiału jest podobna do grafenu. Grafen ma być wykorzystywany w celach komercyjnych, nad czym pracuje obecnie wiele laboratoriów. Eksperci sugerują, że niedługo powstaną szybsze chipy, i że grafen może funkcjonować nawet jako nadprzewodnik. Joshua Goldberger z Uniwersytetu Ohio postanowił skupić się na bardziej tradycyjnych materiałach. - Większość ludzi myśli o grafenie jako o elektronicznym materiale przyszłości. Krzem i german są materiałami z teraźniejszości. Przez sześćdziesiąt lat potencjał umysłowy kierowano na opracowywanie technik budowania z nich chipów. Zatem powinniśmy poszukiwać unikalnych form krzemu i germanu o korzystnych właściwościach, aby uzyskać nowy materiał, ale mniejszym kosztem i przy użyciu istniejących technologii.

W artykule opublikowanym w czasopiśmie ACS Nano, on i jego koledzy opisują, jak udało im się stworzyć stabilną, pojedynczą warstwę atomów germanu. Materiał krystaliczny w tej formie otrzymał nazwę "germanan". Badacze starali się stworzyć germanan już wcześniej. Obecnie po raz pierwszy udało się wytworzyć ilości wystarczające do przeprowadzenia szczegółowych pomiarów właściwości materiału i udowodnienia, że jest on stabilny przy kontakcie z powietrzem i wodą.

Joshua Goldberger

Joshua Goldberger, The Ohio State University

Germanan jest jeszcze bardziej stabilny chemicznie niż krzem. W przeciwieństwie do krzemu nie utlenia się w powietrzu i w wodzie. To sprawia, że można z nim łatwo pracować stosując tradycyjne techniki wytwarzania chipów. Germanan jest pożądany dla optoelektroniki, ponieważ ma tzw. bezpośrednie pasmo wzbronione. Pozwala to na łatwiejszą absorpcję lub emisję światła. Przykładowo, w zastosowaniu do ogniw słonecznych, materiały z bezpośrednim pasmem wzbronionym mogą być do 100 razy cieńsze niż materiały z pasmem pośrednim, przy zachowaniu takiej samej wydajności.

Według obliczeń naukowców, elektrony mogą być przewodzone przez germanan dziesięć razy szybciej niż przez krzem, a pięć razy szybciej niż za pośrednictwem standardowego germanu. Mierzona prędkość nazywana jest mobilnością elektronu. Dzięki wysokiej mobilności germanan może pozwolić na zwiększenie obciążania przyszłych procesorów komputerowych.

- Mobilność jest ważna, ponieważ szybsze chipy mogą być wykonywane jedynie z materiałów dających właśnie większą mobilność. Kiedy sprowadza się tranzystory do coraz mniejszej skali trzeba stosować materiały o wyższej mobilności lub tranzystory nie będą działać - wyjaśniał Joshua Goldberger. Podczas dalszych badań zespół będzie sprawdzał możliwości wpływania na właściwości germananu poprzez zmianę konfiguracji atomów w pojedynczej warstwie.

źródło: The Ohio State University
zdjęcie główne: Germanan - Joshua Goldberger, The Ohio State University

 

World News 24h

poniedziałek, 21 sierpnia 2017 14:00

Samsung Electronics will start the construction of Line 18 of Hwasung Plant with a total floor area of 300,000m² by investing 6 trillion won (US$5.4 billion) in November to strengthen the competitiveness of its micro foundry business. The new construction of Hwaseong Plant was originally scheduled for next year, but the early start of the construction was decided to preemptively respond to a surging demand for semiconductors.

więcej na: www.businesskorea.co.kr