wersja mobilna
Online: 962 Poniedziałek, 2017.04.24

Biznes

Samsung uruchomił masową produkcję pamięci DDR4 w technologii 20nm

piątek, 06 września 2013 12:27

Koreański producent rozpoczął produkcję najbardziej zaawansowanych pamięci DDR4 przeznaczonych dla serwerów korporacyjnych działających w centrach danych nowej generacji. Wprowadzenie wysokowydajnych modułów o dużej gęstości pomoże Samsungowi lepiej zaspokajać zapotrzebowanie szybko rozwijających się ośrodków informatycznych na zaawansowane układy. Rynkowa dostępność 4-gigabitowych (Gb) chipów DDR4, które wykorzystują 20-nanometrowy proces technologiczny będzie stymulować popyt na 16- i 32-gigabajtowe (GB) moduły pamięci.

- Przyjęcie w bieżącym roku ultraszybkich modułów DDR4 w następnej generacji systemach serwerowych rozpocznie impuls w kierunku stosowania zaawansowanych pamięci. Dzięki dostawom pamięci DDR3 16 GB, w 2013 r. kontynuujemy rozszerzenie rynku serwerów premium. Obecnie koncentrujemy się na wyższej gęstości i udostępniamy moduły DDR4 32GB, co przyczyni się do jeszcze większego wzrostu "zielonego" rynku IT w 2014 r. - mówił Young-Hyun Jun, wiceprezes działu marketingu i sprzedaży pamięci Samsung Electronics.

W nowej generacji serwerów korporacyjnych zastosowanie wyższych prędkości DRAM podnosi wydajność systemu i znacząco obniża ogólne zużycie energii. Przez szybkie wdrożenie pamięci DDR4 producenci OEM mogą zminimalizować koszty operacyjne i zwiększyć wydajność. Uruchomienie masowej produkcji 4 Gb chipów DDR4 w technologii 20nm zastępuje wprowadzone w 2008 r. układy DDR3 2 Gb klasy 50nm. Chipy DDR4 4Gb charakteryzują się najszybszą transmisją danych o wartości 2667 megabitów na sekundę. Jest to 1,25-krotny wzrost w stosunku do DDR3 klasy 20nm przy jednoczesnym obniżeniu zużycia energii o ponad 30%.

źródło: Samsung

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

poniedziałek, 24 kwietnia 2017 12:04

The supply of DRAM memory is likely to stay tight for a substantial period of time, according to Frank Huang, chairman for Powerchip Technology. DRAM makers have not opened new lines for five years, said Huang, adding that industry leader Samsung Electronics is putting increased focus on its 10nm foundry and NAND flash offerings. Technology is the key to the development of China's DRAM industry, and Micron Technology has started to pay attention to potential infringement of its existing patents, Huang identified.

więcej na: www.digitimes.com