wersja mobilna
Online: 504 Sobota, 2016.12.10

Biznes

NAND Flash: dobre półrocze i odwrócenie trendu w lipcu

poniedziałek, 23 września 2013 11:32

Po okresie stabilnego wzrostu z pierwszej połowy 2013 r. na rynku pamięci NAND Flash kupowanych na kontrakt w lipcu nastąpiła zmiana tendencji cenowej, z uwagi na obawy firm o popyt w drugiej połowie roku. Według DRAMeXchange, oddziału badania rynku agencji TrendForce, ceny układów NAND Flash spadły w lipcu o 6 do 9%, co wiąże się z niższym niż oczekiwane zapotrzebowaniem na te układy ze strony odbiorców.

Wskutek napiętych harmonogramów dostaw komponentów pamięci oraz realizowanych przez ich dostawców strategii zawężania dostaw, od stycznia do czerwca wiele firm składało dublujące się zamówienia, aby przygotować się na dobrze rokującą dalszą część roku. Przykładowo, w I kwartale producenci modułów miniaturowych kart pamięci i pendrive’ów byli skłonni akceptować dowolnie wysokie ceny układów, aby uniknąć potencjalnych braków komponentu. Jednak później zwyczajnie ograniczyli zakupy, i w II kwartale dostawy pamięci okazały się mniejsze niż oczekiwano.

W III kwartale, przez ogólną niepewność gospodarczą, na świecie popyt stał się niestabilny, dostawcy smartfonów, tabletów i laptopów korygowali wcześniejsze zamówienia, a producenci modułów pamięci nie składali kolejnych. Według TrendForce doprowadziło do znacznego obniżenia cen układów NAND Flash i firma analityczna prognozowała dalsze spadki cen także na sierpień.

Zmuszeni do redukcji liczby kontraktów w III kwartale producenci pamięci NAND Flash prawdopodobnie osiągną wyniki niższe od oczekiwań, nawet jeśli nowe urządzenia mobilne sprawią, że popyt na pamięci będzie wzrastać. TrendForce przewiduje, że także z uwagi na ogólną makroekonomiczną niepewność na rynkach, w II połowie roku warto podchodzić ostrożnie do perspektyw popytu ze strony dostawców OEM.

NAND Flash w urządzeniach
Cena układu pamięci NAND Flash MLC 32Gb w sprzedaży kontraktowej wg DRAMeXchange, w dolarach

Cena układu pamięci NAND Flash MLC 32Gb w sprzedaży kontraktowej wg DRAMeXchange, w dolarach

Za przyczyny silnego wzrostu sprzedaży układów pamięci NAND Flash w całym I półroczu 2013 r. serwis branżowy DigiTimes uznał rosnące wykorzystanie pamięci półprzewodnikowych (SSD) w serwerach i dużych centrach obliczeniowych oraz ożywiony popyt na smartfony i tablety. Oparte na układach NAND Flash dyski SSD coraz częściej zastępują tradycyjne magnetyczne dyski twarde (HDD), powszechnie stosowane w serwerach. W pierwszym półroczu wielu dostawców urządzeń i systemów zamawiało duże ilości komponentów NAND Flash stosowanych w pamięciach półprzewodnikowych do serwerów i stacji roboczych, aby zapewnić je firmom pragnącym dynamicznie rozwijać zdolność przetwarzania w chmurze.

W przenośnych urządzeniach komunikacyjnych używane są z kolei wbudowane rozwiązania NAND, takie jak MMC i MCP, dające się łatwo dopasowywać do projektów o ograniczonych rozmiarach.

Cena układu pamięci NAND Flash MLC 64Gb w sprzedaży kontraktowej wg DRAMeXchange, w dolarach

Cena układu pamięci NAND Flash MLC 64Gb w sprzedaży kontraktowej wg DRAMeXchange, w dolarach

Kolejną przyczyną wzrostu sprzedaży pamięci SSD w I kwartale 2013 r. było zwiększone wykorzystanie dysków półprzewodnikowych w ultrabookach i bardzo cienkich komputerach osobistych, jak również tabletach, informował DigiTimes. W okresie tym dostawy dysków SSD wyniosły 11,5 mln sztuk, o 92% więcej w ujęciu rocznym, z czego ponad połowa trafiła do ultrabooków i cienkich pecetów. W liczbie tej mieszczą się zarówno standardowe SSD oraz napędy SSD jako pamięci podręczne i urządzenia hybrydowe.

Tymczasem w I półroczu 2013 r. firmą z pierwszej dwudziestki dostawców półprzewodników, która osiągnęła najwyższy wzrost obrotów, okazał się SK Hynix, awansując z ósmej pozycji w rankingu za 2012 r. na piątą obecnie, przede wszystkim właśnie dzięki wzrostowi rynków pamięci, zarówno NAND Flash jak i DRAM. Według IC Insights sprzedaż półprzewodników przez Hyniksa zwiększyła się w dwóch pierwszych kwartałach o 38% w skali roku. O 8% sprzedaż poprawił także Micron, który z końcem lipca ogłosił zamknięcie 100-procentowego przejęcia kapitału Elpidy. Mimo okresowych wahań rynku NAND Flash oczywistym jest, że jest to rynek dużego potencjału wzrostu, a wymiana na SSD magnetycznych dysków twardych w komputerach, a także innych nośników, tylko to potwierdza.

Toshiba nie odpuszcza

O planach dalszej rozbudowy zaplecza produkcji układów NAND Flash w lipcu br. poinformowała Toshiba. We wspólnym przedsięwzięciu z SanDiskiem firma powiększy zakład Fab 5 w Yokkaichi w centralnej Japonii, gdzie chce wytwarzać pamięci NAND Flash następnej generacji w technologii procesu 16nm-17nm oraz nowe rodzaje pionowo integrowanych pamięci 3D. Według informacji z japońskiej giełdy obecna miesięczna zdolność produkcyjna Fab 5 wynosi 450 tysięcy płytek o średnicy 300 mm i podobnych, a po zakończeniu inwestycji wydajność ma wzrosnąć o dalsze 20%. Początek rozbudowy zaplanowano na sierpień br., a zakończenie inwestycji na lato 2014 r.

Rozwój II etapu inwestycji w Fab 5 będzie kosztował obie firmy około 4 mld dolarów. W Yokkaichi Toshiba posiada już trzy działające fabryki NAND Flash, w tym zakład Fab 5, który po realizacji I etapu budowy rozpoczął wytwarzanie układów w lipcu 2011 r.

Chcąc odgrywać rolę na rynku pamięci, Toshiba zmuszona jest do inwestycji na dużą skalę, jakie mają szansę zrównoważyć nieustanny rozwój technologii i potencjału wytwarzania pamięci przez lidera rynku NAND Flash. Jedynym sposobem na zapobieżenie utracie rynku na rzecz Samsunga jest konsekwentne zwiększanie zdolności produkcyjnej.

W Fab 5 Toshiba i SanDisk zapowiadają dalszy rozwój planarnej technologii pamięci NAND Flash, ale przy potencjalnej barierze skalowania procesu poniżej 10nm, obie firmy zamierzają rozpocząć produkcję pamięci NAND Flash 3D. Ta nowa technologia jest oczywiście obszarem rywalizacji liderów rynku. Rozpoczęcie masowej produkcji trójwymiarowej pamięci NAND Flash ogłosił bowiem w sierpniu Samsung. Koreański dostawca pamięci obiecuje zwiększoną niezawodność, wydajność i pojemność pamięci 3D wytwarzanej w technologii V-NAND (Vertical NAND). Pierwsze pojedyncze układy V-NAND Samsunga, charakteryzujące się pionową strukturą połączeń komórek, oferują pojemność 128 Gb.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

piątek, 09 grudnia 2016 16:12

Nantero has raised $21 million in funding for its carbon nanotube memory devices, which are an alternative to mainstream semiconductor chips. The Woburn, Mass.-based company makes nonvolatile random access memory (NRAM), which can be used in a variety of products, such as smartphones, tablets, enterprise systems, and notebook and desktop computers, as well as applications in the automotive and industrial markets.

więcej na: venturebeat.com

Produkty