wersja mobilna
Online: 700 Sobota, 2017.06.24

Biznes

W stanie Nowy Jork powstał plan budowy kompleksu fabryk płytek 450 mm

środa, 16 października 2013 07:46

Kolegium Nanonauki i Inżynierii (CNSE), wraz z organizacją odpowiedzialną za rozwój okręgu Mohawk Valley w centralnej części stanu Nowy Jork, przyjęły plan rozwoju terenu, na którym stanąć mogą nawet trzy fabryki półprzewodników operujące na płytkach 450-milimetrowych. Każda z fabryk miałaby około 42 tys. m² powierzchni cleanroomów i kosztowałaby inwestorów prywatnych i publicznych od 10 do 15 mld dolarów. CNSE i organizacja EDGE z Mohawk Valley są na etapie uzyskania niezbędnych zezwoleń na rozpoczęcie budowy fabrycznego centrum nanotechnologii w miejscowości Marcy, na północ od miasta Nowy Jork.

Nowy plan jest rozwinięciem projektu Konsorcjum Global 450 o wartości 4,8 mld dolarów, realizowanego od dwóch lat w należącym do CNSE kompleksie Albany NanoTech w centralnej części stanu. Sukces projektu nie jest jednak przesądzony. Intel, uczestnik Konsorcjum Global 450, jest na etapie budowy własnej fabryki operującej na płytkach 450 mm w stanie Oregon, natomiast TSMC planuje w 2014 r. rozpoczęcie budowy takiej fabryki na Tajwanie.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

sobota, 24 czerwca 2017 07:58

A flavor of resistive RAM (ReRAM) has overcome a significant hurdle that has it nipping at DRAM's heels. 4DS Memory Limited recently announced that architectural changes to its patented Interface Switching ReRAM have improved read access so dramatically that it is now comparable to DRAM. In a telephone interview with EE Times, company CEO and Managing Director Guido Arnout said the development places the company in a hallway with a lot of doors it could potentially walk through.

więcej na: www.eetimes.com