wersja mobilna
Online: 2263 Wtorek, 2017.03.28

Biznes

W stanie Nowy Jork powstał plan budowy kompleksu fabryk płytek 450 mm

środa, 16 października 2013 07:46

Kolegium Nanonauki i Inżynierii (CNSE), wraz z organizacją odpowiedzialną za rozwój okręgu Mohawk Valley w centralnej części stanu Nowy Jork, przyjęły plan rozwoju terenu, na którym stanąć mogą nawet trzy fabryki półprzewodników operujące na płytkach 450-milimetrowych. Każda z fabryk miałaby około 42 tys. m² powierzchni cleanroomów i kosztowałaby inwestorów prywatnych i publicznych od 10 do 15 mld dolarów. CNSE i organizacja EDGE z Mohawk Valley są na etapie uzyskania niezbędnych zezwoleń na rozpoczęcie budowy fabrycznego centrum nanotechnologii w miejscowości Marcy, na północ od miasta Nowy Jork.

Nowy plan jest rozwinięciem projektu Konsorcjum Global 450 o wartości 4,8 mld dolarów, realizowanego od dwóch lat w należącym do CNSE kompleksie Albany NanoTech w centralnej części stanu. Sukces projektu nie jest jednak przesądzony. Intel, uczestnik Konsorcjum Global 450, jest na etapie budowy własnej fabryki operującej na płytkach 450 mm w stanie Oregon, natomiast TSMC planuje w 2014 r. rozpoczęcie budowy takiej fabryki na Tajwanie.

 

World News 24h

wtorek, 28 marca 2017 10:03

Transphorm Inc. announced that its second generation, JEDEC-qualified high voltage GaN technology is now the industry’s first GaN solution to earn automotive qualification - having passed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors. Transphorm’s automotive GaN FET, the TPH3205WSBQA, offers an on-resistance of 49 milliOhms in an industry standard TO-247 package. The part initially targets on-board charger and DC to DC systems for plug-in hybrid electric vehicles and battery electric vehicles.

więcej na: www.transphormusa.com