wersja mobilna
Online: 588 Czwartek, 2017.05.25

Biznes

Inżynierowie Agilent Technologies autorami książki dotyczącej technologii parametrów X

piątek, 15 listopada 2013 07:44

Firma Agilent Technologies poinformowałą o wydaniu książki "X-Parameters: Characterization, Modeling, and Design of Nonlinear RF and Microwave Components", dotyczącej przełomowej technologii pomiaru, modelowania i symulacji elementów i systemów nieliniowych w oparciu o parametry X. Książka opublikowana przez Cambridge University Press jest wyczerpującym przewodnikiem dotyczącym teorii X-parameters, popartym rzeczywistymi przykładami.

Książka opisuje podstawy technologii X-parameter i dostarcza praktyczne przykłady pozwalające czytelnikom na dokonywanie użytecznych aproksymacji, mogących w dużym stopniu ograniczyć złożoność wykonywania pomiarów, modelowania i projektowania w nieliniowych reżimach pracy. Książka uczy ponadto jak w oparciu o parametry X pokonywać złożone problemy inżynieryjne dotyczące układów nieliniowych, pracujących w paśmie w.cz. i mikrofalowym. Rozbudowana treść pozwala traktować książkę jako samodzielny podręcznik dla badaczy, inżynierów, naukowców i studentów.

Publikację napisało czterech naukowców i inżynierów z firmy Agilent: David E. Root, Jan Verspecht, Jason Horn i Mihai Marcu. Są oni autorami nowego paradygmatu dotyczącego modelowania nieliniowych komponentów i systemów pracujących w zakresie w.cz. i częstotliwości mikrofalowych. To autorzy uznani w branży przemysłowej i w środowisku akademickim za czołowych ekspertów w zakresie modelowania, symulacji i miernictwa.

X-parameters jest znakiem handlowym Agilent Technologies Inc. Format i zestaw równań wykorzystanych do opisu parametrów X jest otwarty i udokumentowany. Więcej informacji dotyczących parametrów X można znaleźć pod adresem www.agilent.com/find/x-parameters.

źródło: AM Technologies Polska

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 25 maja 2017 17:52

Samsung Electronics Co. updated its foundry technology roadmap, including detailing its second-generation FD-SOI platform, several bulk silicon FinFET processes down to 5nm and a 4nm “post FinFET” structure process set to be in risk production in 2020. Samsung, which formally broke its foundry operation into a separate business unit called Samsung Foundry last week, also reiterated previously announced plans to put extreme ultraviolet lithography into production in 2018 at the 7nm node.

więcej na: www.eetimes.com

Produkty