wersja mobilna
Online: 2209 Czwartek, 2017.06.29

Biznes

SK Hynix rozpoczyna masową produkcję pamięci NAND Flash 16nm

poniedziałek, 25 listopada 2013 07:53

Koreański SK Hynix ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 64-gigabitowych układów pamięci multi level NAND Flash, z wykorzystaniem najcieńszego w branży procesu technologicznego. SK Hynix poinformował również, że opracował 128 Gb układ o największym zagęszczeniu w jednym chipie MLC. Pamięci te mają być masowo produkowane od początku przyszłego roku. Zdaniem firmy, pozwoli jej to przyspieszyć tempo rozwoju układów TLC (Triple Level Cell) oraz 3D NAND Flash.

Masowe wytwarzanie pierwszej wersji 16-nanometrowych chipów NAND Flash SK Hynix rozpoczął w czerwcu bieżącego roku. Druga wersja pamięci, która właśnie została uruchomiona, jest bardziej konkurencyjna cenowo ze względu na mniejszy rozmiar. Cieńszy proces technologiczny redukuje występujące w komórkach zakłócenia. W celu ich ograniczenia producent stosuje też własną technologię - "Air-Gap".

źródło: Yonhap News Agency

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 29 czerwca 2017 16:02

Western Digital Corp. announced that it has successfully developed its next-generation 3D NAND technology, BiCS4, with 96 layers of vertical storage capability. Sampling to OEM customers is expected to commence in the second half of calendar year 2017 and initial production output is expected in calendar year 2018. BiCS4, which was developed jointly with Western Digital's technology and manufacturing partner Toshiba Corporation, will be initially deployed in a 256-gigabit chip and will subsequently ship in a range of capacities, including a terabit on a single chip.

więcej na: www.businesswire.com