wersja mobilna
Online: 681 Wtorek, 2017.10.17

Biznes

SK Hynix rozpoczyna masową produkcję pamięci NAND Flash 16nm

poniedziałek, 25 listopada 2013 07:53

Koreański SK Hynix ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 64-gigabitowych układów pamięci multi level NAND Flash, z wykorzystaniem najcieńszego w branży procesu technologicznego. SK Hynix poinformował również, że opracował 128 Gb układ o największym zagęszczeniu w jednym chipie MLC. Pamięci te mają być masowo produkowane od początku przyszłego roku. Zdaniem firmy, pozwoli jej to przyspieszyć tempo rozwoju układów TLC (Triple Level Cell) oraz 3D NAND Flash.

Masowe wytwarzanie pierwszej wersji 16-nanometrowych chipów NAND Flash SK Hynix rozpoczął w czerwcu bieżącego roku. Druga wersja pamięci, która właśnie została uruchomiona, jest bardziej konkurencyjna cenowo ze względu na mniejszy rozmiar. Cieńszy proces technologiczny redukuje występujące w komórkach zakłócenia. W celu ich ograniczenia producent stosuje też własną technologię - "Air-Gap".

źródło: Yonhap News Agency

 

World News 24h

wtorek, 17 października 2017 09:56

sureCore Ltd. announced it has joined the GLOBALFOUNDRIES FDXcelerator Partner Program and will make both their Low Power “PowerMiser” and Ultra Low Voltage “EverOn” SRAM offerings available on GF’s 22nm FD-SOI process technology. PowerMiser delivers dynamic and static power savings exceeding 50 percent and 20 percent respectively. EverOn is the first commercially available SRAM to enable robust and reliable operation at near threshold voltages delivering hitherto unprecedented power savings. sureCore SRAMs are built from standard foundry bit cells and need no process modifications “GF’s 22FDX is a logical next step for developers who are currently in 28nm bulk processes” said CEO Paul Wells.

więcej na: electroiq.com