wersja mobilna
Online: 589 Środa, 2017.07.26

Biznes

Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4

piątek, 03 stycznia 2014 07:50

Firmy Samsung Electronics i SK Hynix dysponują nową generacją mobilnej pamięci DRAM o szybkości dwukrotnie większej niż w obecnych układach. Każdy z dwóch koreańskich gigantów technologicznych twierdzi, że jako pierwszy na świecie opracował nowe układy. Produkt określany jako Low Power DDR4 jest pierwszym chipem pamięciowym o wielkości 8 gigabitów wykonanym w technologii 20nm. Jego masowe wytwarzanie rozpocznie się w drugiej połowie 2014 roku.

Najnowszy układ DRAM może działać przy stosunkowo niskim napięciu zasilającym 1,1 V, niższym niż 1,2 V w przypadku LPDDR3. Szybkość układu osiąga 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli dwa razy więcej niż w wersji LPDDR3.

Samsung zapowiedział, że zastosowanie nowego chipu LPDDR4 będzie koncentrować na najlepszych urządzeniach mobilnych i ultracienkich notebookach. Z kolei SK hynix chce umieszczać nową pamięć DRAM we flagowych urządzeniach mobilnych już w 2014 r. i stopniowo rozszerzać jej zastosowanie, aby produkty firmy osiągnęły wiodącą pozycję w branży w roku 2016.

źródło: Yonhap News Agency

 

World News 24h

środa, 26 lipca 2017 07:51

Worldwide silicon wafer area shipments increased during the second quarter 2017 when compared to first quarter 2017 area shipments according to the SEMI SMG. Total silicon wafer area shipments were 2,978 million square inches during the most recent quarter, a 4.2 percent increase from the 2,858 million square inches shipped during the previous quarter. New quarterly total area shipments are 10.1 percent higher than second quarter 2016 shipments and are at their highest recorded quarterly level.

więcej na: www.semi.org