wersja mobilna
Online: 633 Sobota, 2017.08.19

Biznes

Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4

piątek, 03 stycznia 2014 07:50

Firmy Samsung Electronics i SK Hynix dysponują nową generacją mobilnej pamięci DRAM o szybkości dwukrotnie większej niż w obecnych układach. Każdy z dwóch koreańskich gigantów technologicznych twierdzi, że jako pierwszy na świecie opracował nowe układy. Produkt określany jako Low Power DDR4 jest pierwszym chipem pamięciowym o wielkości 8 gigabitów wykonanym w technologii 20nm. Jego masowe wytwarzanie rozpocznie się w drugiej połowie 2014 roku.

Najnowszy układ DRAM może działać przy stosunkowo niskim napięciu zasilającym 1,1 V, niższym niż 1,2 V w przypadku LPDDR3. Szybkość układu osiąga 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli dwa razy więcej niż w wersji LPDDR3.

Samsung zapowiedział, że zastosowanie nowego chipu LPDDR4 będzie koncentrować na najlepszych urządzeniach mobilnych i ultracienkich notebookach. Z kolei SK hynix chce umieszczać nową pamięć DRAM we flagowych urządzeniach mobilnych już w 2014 r. i stopniowo rozszerzać jej zastosowanie, aby produkty firmy osiągnęły wiodącą pozycję w branży w roku 2016.

źródło: Yonhap News Agency

 

World News 24h

sobota, 19 sierpnia 2017 19:57

The semiconductor industry's largest trade group reacted quickly to a memorandum by U.S. President Donald Trump authorizing the investigation of China's trade practices, offering support and saying it has long voiced concern over "market-distorting" aspects of China's industrial policy. "The U.S. semiconductor industry stands ready to work with the Trump Administration to protect American intellectual property and critical technology from theft or forced transfer in foreign markets," said John Neuffer, president of the Semiconductor Industry Association.

więcej na: www.eetimes.com

Produkty