wersja mobilna
Online: 519 Poniedziałek, 2016.12.05

Biznes

Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4

piątek, 03 stycznia 2014 07:50

Firmy Samsung Electronics i SK Hynix dysponują nową generacją mobilnej pamięci DRAM o szybkości dwukrotnie większej niż w obecnych układach. Każdy z dwóch koreańskich gigantów technologicznych twierdzi, że jako pierwszy na świecie opracował nowe układy. Produkt określany jako Low Power DDR4 jest pierwszym chipem pamięciowym o wielkości 8 gigabitów wykonanym w technologii 20nm. Jego masowe wytwarzanie rozpocznie się w drugiej połowie 2014 roku.

Najnowszy układ DRAM może działać przy stosunkowo niskim napięciu zasilającym 1,1 V, niższym niż 1,2 V w przypadku LPDDR3. Szybkość układu osiąga 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli dwa razy więcej niż w wersji LPDDR3.

Samsung zapowiedział, że zastosowanie nowego chipu LPDDR4 będzie koncentrować na najlepszych urządzeniach mobilnych i ultracienkich notebookach. Z kolei SK hynix chce umieszczać nową pamięć DRAM we flagowych urządzeniach mobilnych już w 2014 r. i stopniowo rozszerzać jej zastosowanie, aby produkty firmy osiągnęły wiodącą pozycję w branży w roku 2016.

źródło: Yonhap News Agency

 

World News 24h

poniedziałek, 05 grudnia 2016 15:55

A former senior manager at Taiwan's technology giant Foxconn has been indicted for stealing and selling 5,700 iPhones in China to pocket around US$1.56 million, Taiwanese prosecutors said. The Taiwanese manager, identified by his family name Tsai, worked in the testing department and instructed eight employees at Foxconn's factory in the southern mainland Chinese city of Shenzhen to smuggle out about thousands of iPhone5 and iPhone5s, prosecutors said.

więcej na: news.asiaone.com