wersja mobilna
Online: 1156 Środa, 2017.05.24

Biznes

Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4

piątek, 03 stycznia 2014 07:50

Firmy Samsung Electronics i SK Hynix dysponują nową generacją mobilnej pamięci DRAM o szybkości dwukrotnie większej niż w obecnych układach. Każdy z dwóch koreańskich gigantów technologicznych twierdzi, że jako pierwszy na świecie opracował nowe układy. Produkt określany jako Low Power DDR4 jest pierwszym chipem pamięciowym o wielkości 8 gigabitów wykonanym w technologii 20nm. Jego masowe wytwarzanie rozpocznie się w drugiej połowie 2014 roku.

Najnowszy układ DRAM może działać przy stosunkowo niskim napięciu zasilającym 1,1 V, niższym niż 1,2 V w przypadku LPDDR3. Szybkość układu osiąga 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli dwa razy więcej niż w wersji LPDDR3.

Samsung zapowiedział, że zastosowanie nowego chipu LPDDR4 będzie koncentrować na najlepszych urządzeniach mobilnych i ultracienkich notebookach. Z kolei SK hynix chce umieszczać nową pamięć DRAM we flagowych urządzeniach mobilnych już w 2014 r. i stopniowo rozszerzać jej zastosowanie, aby produkty firmy osiągnęły wiodącą pozycję w branży w roku 2016.

źródło: Yonhap News Agency

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

środa, 24 maja 2017 20:02

Samsung Electronics is preparing to supply new portable solid state drive T5 running on the company’s fourth-generation 64-layer V NAND flash memory chip early next week, according to sources. The portable SSD is a compact storage device suitable for individual users. Samsung introduced a 2-terabyte portable SSD T3 based on its 48-layer V NAND last year. The size of T3 is about two thirds of a business card. It weighs about 50 grams. The device can store up to 400 full-HD movies. According to electronics parts makers, the upcoming SSD T5 is expected to be smaller and lighter than its predecessor.

więcej na: www.koreaherald.com