wersja mobilna
Online: 612 Piątek, 2017.04.28

Biznes

Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4

piątek, 03 stycznia 2014 07:50

Firmy Samsung Electronics i SK Hynix dysponują nową generacją mobilnej pamięci DRAM o szybkości dwukrotnie większej niż w obecnych układach. Każdy z dwóch koreańskich gigantów technologicznych twierdzi, że jako pierwszy na świecie opracował nowe układy. Produkt określany jako Low Power DDR4 jest pierwszym chipem pamięciowym o wielkości 8 gigabitów wykonanym w technologii 20nm. Jego masowe wytwarzanie rozpocznie się w drugiej połowie 2014 roku.

Najnowszy układ DRAM może działać przy stosunkowo niskim napięciu zasilającym 1,1 V, niższym niż 1,2 V w przypadku LPDDR3. Szybkość układu osiąga 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli dwa razy więcej niż w wersji LPDDR3.

Samsung zapowiedział, że zastosowanie nowego chipu LPDDR4 będzie koncentrować na najlepszych urządzeniach mobilnych i ultracienkich notebookach. Z kolei SK hynix chce umieszczać nową pamięć DRAM we flagowych urządzeniach mobilnych już w 2014 r. i stopniowo rozszerzać jej zastosowanie, aby produkty firmy osiągnęły wiodącą pozycję w branży w roku 2016.

źródło: Yonhap News Agency

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

piątek, 28 kwietnia 2017 11:59

Tesla offered pay rises and job guarantees to defuse labor tensions at a key German supplier, whose founder and chief executive left the company late last month. Klaus Grohmann, former head of Grohmann Engineering, a maker of automated manufacturing systems, has left the company, Tesla and German trade union IG Metall said. Grohmann Engineering has helped Tesla rivals Daimler and BMW build production facilities for electric car batteries. Tesla agreed to buy the company in November and it is key to the Silicon Valley carmaker's bid to succeed in the mass market by massively ramping up output.

więcej na: www.reuters.com