wersja mobilna
Online: 1953 Środa, 2017.03.22

Biznes

Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4

piątek, 03 stycznia 2014 07:50

Firmy Samsung Electronics i SK Hynix dysponują nową generacją mobilnej pamięci DRAM o szybkości dwukrotnie większej niż w obecnych układach. Każdy z dwóch koreańskich gigantów technologicznych twierdzi, że jako pierwszy na świecie opracował nowe układy. Produkt określany jako Low Power DDR4 jest pierwszym chipem pamięciowym o wielkości 8 gigabitów wykonanym w technologii 20nm. Jego masowe wytwarzanie rozpocznie się w drugiej połowie 2014 roku.

Najnowszy układ DRAM może działać przy stosunkowo niskim napięciu zasilającym 1,1 V, niższym niż 1,2 V w przypadku LPDDR3. Szybkość układu osiąga 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli dwa razy więcej niż w wersji LPDDR3.

Samsung zapowiedział, że zastosowanie nowego chipu LPDDR4 będzie koncentrować na najlepszych urządzeniach mobilnych i ultracienkich notebookach. Z kolei SK hynix chce umieszczać nową pamięć DRAM we flagowych urządzeniach mobilnych już w 2014 r. i stopniowo rozszerzać jej zastosowanie, aby produkty firmy osiągnęły wiodącą pozycję w branży w roku 2016.

źródło: Yonhap News Agency

 

World News 24h

środa, 22 marca 2017 20:08

Nokia and Facebook are setting speed records under the sea. The two companies revealed the results of multiple field trials of their 5,500-kilometer submarine cable between New York and Ireland, saying that the cable used new probabilistic constellation shaping from Nokia Bell Labs and shaped 64-QAM, setting a spectral efficiency record of 7.46 b/s/Hz and boosting the system’s capacity by nearly 2.5 times.

więcej na: www.adweek.com