wersja mobilna
Online: 604 Poniedziałek, 2017.06.26

Biznes

Zbudowano najcieńsze i najbardziej energooszczędne diody LED

czwartek, 13 marca 2014 11:21

Większość nowoczesnych urządzeń elektronicznych wykorzystuje małe diody emitujące światło. Diody te bazują na półprzewodnikach wysyłających fotony dzięki ruchowi elektronów. Ponieważ współczesne urządzenia są coraz mniejsze i szybsze, wzrasta zapotrzebowanie na takie półprzewodniki, które są drobniejsze, silniejsze i bardziej energooszczędne. Naukowcy z University of Washington zbudowali najcieńsze jak dotąd LEDy, które mogą być stosowane jako źródła światła w elektronice - mają 3 atomy grubości!

Diody opracowane przez naukowców powstają z warstw materiału półprzewodnikowego zaliczanego do grupy materiałów dwuwymiarowych - diselenku wolframu. Warstwy te są uzyskiwane w sposób podobny jak przy wytwarzaniu płatków grafenowych. Większość elektroniki wykorzystuje diody trójwymiarowe - są one 10 do 20 razy grubsze od opracowywanych na uniwersytecie. Prototypowe elementy są 10 tys. razy mniejsze niż grubość ludzkiego włosa.

- Jesteśmy w stanie wykonać diody najcieńsze jak to tylko możliwe, grube na tylko trzy atomy, ale wytrzymałe mechanicznie. Tak cienkie i elastyczne diody są krytyczne dla przyszłych przenośnych i zintegrowanych urządzeń elektronicznych - powiedział Xiaodong Xu, jeden z naukowców University of Washington.

Według badaczy mikroskopijne diody LED mogłyby być wykorzystywane na znacznie większą skalę niż diody dobrze nam znane. - Obiecującym rozwiązaniem jest zastąpienie połączeń elektrycznych przez interkonekty optyczne, które utrzymują wysoką przepustowość, ale zużywają mniej energii. Nasza praca sprawia, że ​​możliwe staje się wykonanie wysoce zintegrowanych i energooszczędnych urządzeń w obszarach, takich jak oświetlenie, komunikacja optyczna i nanoskalowe lasery - przekonywał Xiaodong Xu.

źródło: University of Washington

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

poniedziałek, 26 czerwca 2017 18:02

Earlier this year, Xiaomi announced its in-house chipset called Surge S1. This chipset was announced along with the Xiaomi Mi 5c smartphone. As per the fresh information from a Taiwanese publication, it looks like Xiaomi is prepping the second generation chipset expected to be dubbed Surge S2. The Surge S1 was made by TSMC. It was built using the 28nm manufacturing process. Despite taking two years to develop the Surge S1, the company is rumored to be working on its successor in just months of its launch. The report claims that the mass production of the alleged Xiaomi Surge S2 chipset will debut soon.

więcej na: www.gizbot.com