wersja mobilna
Online: 537 Środa, 2016.12.07

Biznes

Innodisk oferuje przemysłowe karty pamięci Flash SD w wersji 3.0

czwartek, 03 lipca 2014 07:57

Tajwańska firma Innodisk wprowadza na rynek nowe przemysłowe karty pamięci SD w wersji 3.0 specyfikacji opracowanej przez SD Card Association. Karty te charakteryzują się szybkością odczytu i zapisu danych na poziomie 45/25 MB/s. Bazują na chipach Flash typu SLC (Single-Level Cell) - dla pojemności od 128 MB do 32 GB oferując prędkość odczytu i zapisu 35/25 MB/s lub MLC (Multi-Level Cell) w przypadku pojemności od 4 GB do 64 GB o szybkości 45/20 MB/s.

Maksymalna liczba cykli zapisu dla komórki pamięci w tych kartach wynosi 100 tys. dla SLC i 3 tys. dla MLC.

Nowe karty bazują na kontrolerze S8 firmy Hyperstone pracującym w oparciu o firmware Innodisk który zapewnia równomierne zarządzania przestrzenią danych (wear-levelling, bad block management, power failure management and garbage collection), co zapewnia wysoką jakość nośnika.

Karty w wersji 3.0 są kompatybilne wstecznie z poprzednią specyfikacją 2.0. Nowa specyfikacja pozwala na użycie kart o dużej pojemności (do 2 GB) w systemach, które nie tolerują kart SDHC.

Napięcie pracy wynosi 3,3 V a pobór prądu jest mniejszy niż 1,6 mA (idle), 69 mA (odczyt) lub 77mA (zapis). Karty pracują w zakresie temperatur od -20°C do +85 °C oraz w wersji rozszerzonej od -40°C do +85 °C.

źródło: SE Spezial-Electronic

 

World News 24h

środa, 07 grudnia 2016 07:55

The United States Supreme Court threw out a lower court’s $399 million judgment against Samsung for violating patents involving Apple’s iPhone. The decision overturns what had been a victory that Apple had won in the Washington, D.C. based U.S. Federal Circuit Court of Appeals. The case will now go back to that court for any further proceedings, including determining what, if any, lower penalties Samsung may have to pay Apple.

więcej na: www.siliconvalley.com