wersja mobilna
Online: 853 Poniedziałek, 2017.04.24

Biznes

SanDisk w technologii 43nm

środa, 26 marca 2008 11:54

Firma SanDisk, producent pamięci Flash wdrożył w swoich zakładach technologię produkcji wielopoziomowych układów NAND Flash, której wymiar charakterystyczny wynosi 43nm. Osiągnięcie to udało się zrealizować dzięki współpracy z japońskim koncernem Toshiba. Wprowadzone zmiany umożliwią dwukrotne zwiększenie gęstości ułożenia komórek pamięci w porównaniu do dotąd stosowanej technologii o wymiarze charakterystycznym 56nm. Ponadto spowoduje to kolejny duży spadek cen pamięci tego typu na rynku. Nowe produkty mają pojawić się na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Początkowo oferowane będą moduły o pojemności 16Gb, ale niedługo później 32Gb. W najnowszych układach zastosowano także opracowaną przez SanDisk architekturę All Bit Line, która zwiększa efektywność zapisu i odczytu danych.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

poniedziałek, 24 kwietnia 2017 16:05

SK Hynix Inc. introduced the world's fastest 27nm 8Gb GDDR6 DRAM. The product operates with an I/O data rate of 16Gbps per pin, which is the industry's fastest. With a forthcoming high-end graphics card of 384-bit I/Os, this DRAM processes up to 768GB of graphics data per second. SK Hynix has been planning to mass produce the product for a client to release high-end graphics card by early 2018 equipped with high performance GDDR6 DRAMs.

więcej na: www.tweaktown.com