wersja mobilna
Online: 570 Wtorek, 2017.02.21

Biznes

SanDisk w technologii 43nm

środa, 26 marca 2008 11:54

Firma SanDisk, producent pamięci Flash wdrożył w swoich zakładach technologię produkcji wielopoziomowych układów NAND Flash, której wymiar charakterystyczny wynosi 43nm. Osiągnięcie to udało się zrealizować dzięki współpracy z japońskim koncernem Toshiba. Wprowadzone zmiany umożliwią dwukrotne zwiększenie gęstości ułożenia komórek pamięci w porównaniu do dotąd stosowanej technologii o wymiarze charakterystycznym 56nm. Ponadto spowoduje to kolejny duży spadek cen pamięci tego typu na rynku. Nowe produkty mają pojawić się na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Początkowo oferowane będą moduły o pojemności 16Gb, ale niedługo później 32Gb. W najnowszych układach zastosowano także opracowaną przez SanDisk architekturę All Bit Line, która zwiększa efektywność zapisu i odczytu danych.

 

World News 24h

poniedziałek, 20 lutego 2017 19:58

China silicon foundry Shanghai Huali Microelectronics is considering whether to adopt FD-SOI reports Digitimes. HLMC, owned by the Shanghai local government, has a CMOS development programme with Imec and makes ICs for MediaTek. It views FD-SOI as a low-cost alternative to finfet. Consumer applications, where China fabless design companies typically focus, are often more suitable to the low mask count, low power, lower cost FD-SOI process than finfet.

więcej na: www.electronicsweekly.com