wersja mobilna
Online: 2231 Czwartek, 2017.06.29

Biznes

SanDisk w technologii 43nm

środa, 26 marca 2008 11:54

Firma SanDisk, producent pamięci Flash wdrożył w swoich zakładach technologię produkcji wielopoziomowych układów NAND Flash, której wymiar charakterystyczny wynosi 43nm. Osiągnięcie to udało się zrealizować dzięki współpracy z japońskim koncernem Toshiba. Wprowadzone zmiany umożliwią dwukrotne zwiększenie gęstości ułożenia komórek pamięci w porównaniu do dotąd stosowanej technologii o wymiarze charakterystycznym 56nm. Ponadto spowoduje to kolejny duży spadek cen pamięci tego typu na rynku. Nowe produkty mają pojawić się na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Początkowo oferowane będą moduły o pojemności 16Gb, ale niedługo później 32Gb. W najnowszych układach zastosowano także opracowaną przez SanDisk architekturę All Bit Line, która zwiększa efektywność zapisu i odczytu danych.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 29 czerwca 2017 16:02

Western Digital Corp. announced that it has successfully developed its next-generation 3D NAND technology, BiCS4, with 96 layers of vertical storage capability. Sampling to OEM customers is expected to commence in the second half of calendar year 2017 and initial production output is expected in calendar year 2018. BiCS4, which was developed jointly with Western Digital's technology and manufacturing partner Toshiba Corporation, will be initially deployed in a 256-gigabit chip and will subsequently ship in a range of capacities, including a terabit on a single chip.

więcej na: www.businesswire.com