wersja mobilna
Online: 421 Wtorek, 2017.09.26

Biznes

Stale rośnie zapotrzebowanie na tranzystory mocy

środa, 15 lipca 2015 12:07

Po silnym ożywieniu na rynku tranzystorów mocy w 2014 r. ich tegoroczna sprzedaż wzrośnie o 6%, co doprowadzi do kolejnego rekordu - wartość dostaw tych elementów dyskretnych w 2015 r. wyniesie 14 mld dolarów, prognozuje agencja analityczna IC Insights. W dwóch latach wcześniejszych - 2012 i 2013 - obserwowany był spadek sprzedaży elementów. Ostatnie sześć lat, zdaniem analityków, cechowały wzrosty i spadki dostaw półprzewodników mocy, które na przemian przewyższały lub nie zaspokajały zapotrzebowania na nie ze strony producentów sprzętu elektronicznego.

Przyczyną był okres niepewności po spowolnieniu gospodarczym z lat 2008-2009, kiedy producenci sprzętu musieli dokładać starań, aby utrzymać stabilny poziom zapasów produktów w magazynach.

Według IC Insights do 2019 r. na rynku obserwowany będzie normalny, stabilny wzrost sprzedaży tranzystorów mocy, średnio o 5,3% w skali roku. Jego napędem ma być dobra koniunktura w branży motoryzacyjnej, a także na rynkach elektroniki użytkowej, systemów przenośnych, na rynku przemysłowym oraz urządzeń do komunikacji bezprzewodowej. W 2019 r. wartość dostaw tranzystorów mocy ma wynieść 17,1 mld dolarów.

Średni roczny wzrost sprzedaży tranzystorów mocy na całym świecie w okresie 1994-2014 r. wyniósł 6,2%. Od ponad trzech dekad tranzystory mocy były motorem wzrostu zróżnicowanego rynku półprzewodnikowych elementów dyskretnych, który tylko w 2014 r. powiększył się o 11%, do wielkości 23 mld dolarów. Wcześniej w 2013 r. rynek ten zmalał o 5%, a w 2012 r. o 7%. Według IC Insights w 2014 r. sprzedaż tranzystorów mocy stanowiła 58% całego rynku elementów dyskretnych, podczas gdy w 1994 r. było to tylko 36%.

IGBT i MOSFET-y

Szereg odmiennych pod względem technologicznym tranzystorów mocy jest obecnie niezbędnych do sterowania i przetwarzania prądów i napięć w coraz bardziej powszechnych wszelkiego rodzaju urządzeniach elektronicznych, w tym zasilanych bateryjnie produktach przenośnych, nowym sprzęcie o obniżonym zużyciu prądu, samochodach hybrydowych i elektrycznych, komponentach inteligentnej sieci energetycznej, czy odnawialnych źródłach energii.

Do lekko powyżej sześcioprocentowego wzrostu w tym roku przyczynić się ma poprawa o 6% sprzedaży tranzystorów polowych mocy (FET), których rynek ma osiągnąć wartość 7,4 mld dolarów, modułów IGBT o 8%, do wartości rynku 3,1 mld dolarów, tranzystorów IGBT o 6% - do 1,1 mld oraz zwykłych tranzystorów bipolarnych o 4% - do 893 mln dolarów.

Sprzedaż tranzystorów mocy na świecie

Sprzedaż tranzystorów mocy na świecie, dane w mld dolarów (źródło: WSTS, IC Insights)

Według prognoz analityków Yole Developpement dostawy samych modułów IGBT będą się zwiększać do 2020 r. o 10,3% w skali roku. Do ich uniwersalnych zastosowań przyczyniają się nowe technologie, dzięki którym elementy te stają się bardziej wydajne i zminiaturyzowane. Coraz częściej wykonane z krzemu tranzystory bipolarne z izolowaną bramką są zastępowane przez elementy z węglika krzemu czy azotku galu. Tranzystory IGBT nie mają sobie równych w aplikacjach wysokonapięciowych, o napięciu od 1 do 1,5 kV. W takich aplikacjach MOSFET-y pracują z dużo wyższą rezystancją RDS(on). Tranzystory MOSFET sprawdzają się za to przy niższych napięciach, do 650 V. Znajdują coraz większe zastosowanie choćby w samochodach hybrydowych i elektrycznych, gdzie są niezbędne do sprawnego zarządzania zasilaniem - w sterowaniu klimatyzacją, wspomaganiu kierownicy, w interfejsach informacji i multimediów (infotainment) czy sterowaniu hybrydową jednostką napędową.

Zapotrzebowanie na wysokie parametry mocy MOSFET-ów wpisuje się w ogólny trend, aby samochody coraz mniej ważyły, a przez to były bardziej wydajne i mniej spalały. Oznacza to, że pożądane są technologie, dzięki którym powstają nie tylko MOSFET-y o wysokim napięciu pracy, ale również lekkie, nieprzegrzewające się i o coraz bardziej kompaktowych rozmiarach, i aby mniejszy był także cały układ elektryczny samochodu.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

wtorek, 26 września 2017 17:59

Toshiba Corp told its main banks on Monday it has not signed the $18 billion sale of its semiconductor business because Apple Inc has not agreed on key terms, two people involved in the deal said. The struggling Japanese conglomerate announced last Wednesday it had chosen a consortium led by U.S. private equity firm Bain Capital LP to buy the prized chip unit - a move that would end a nine-month sale process and plug a vast hole in Toshiba’s finances, preventing it from being removed from trading on the Tokyo Stock Exchange. But the signing of the deal to sell the world’s No. 2 producer of NAND memory chips, initially expected the following day, has dragged on, forcing Toshiba to explain the predicament to its bankers on Monday, the people said.

więcej na: www.reuters.com