wersja mobilna
Online: 1153 Piątek, 2017.08.18

Biznes

Grafenowe nanowstążki mogą przyspieszyć poprawę efektywności elektroniki

wtorek, 18 sierpnia 2015 07:53

Inżynierowie z Uniwersytetu w Wisconsin-Madison odkryli metodę umożliwiającą wzrost grafenowych nanowstążek charakteryzujących się pożądanymi właściwościami, bezpośrednio na germanowym podłożu półprzewodnikowym. Badacze zazwyczaj uzyskiwali nanowstążki przy użyciu technik litograficznych i cięciu większych arkuszy grafenu do postaci wstążki. Jednak takiemu ​​podejściu brakowało precyzji, a nanowstążki miały bardzo ostre krawędzie. Jak przekonują odkrywcy nowej metody, ich technika może być łatwo skalowana do masowej produkcji i jest kompatybilna z infrastrukturą stosowaną w przemyśle półprzewodnikowym.

W artykule opublikowanym 10 sierpnia w czasopiśmie Nature Communications, Michael Arnold - profesor materiałoznawstwa i inżynierii na UW-Madison oraz Robert Jacobberger i ich współpracownicy opisują swoje nowe podejście do produkcji grafenowych nanowstążek. Może ona umożliwić producentom łatwe wykorzystanie nanowstążek przy tworzeniu hybrydowych układów scalonych, które obiecują znaczne zwiększenie wydajności urządzeń elektronicznych nowej generacji. Technologia może mieć również zastosowanie w aplikacjach przemysłowych i wojskowych.

źródło: University of Wisconsin-Madison

 

World News 24h

piątek, 18 sierpnia 2017 14:00

The global DRAM revenue reached a new historical high in the second quarter of 2017, reports DRAMeXchange, a division of TrendForce. Nevertheless, the global ASPs of PC and server DRAM products rose by more than 10% sequentially in the second quarter, while the global ASP of mobile DRAM products showed a less than 5% gain. The smaller price increase for mobile DRAM was due to Chinese smartphone brands lowering than annual shipment targets. “The DRAM market benefitted from the upswing in ASPs and continuing progress in suppliers’ technology migrations,” said Avril Wu.

więcej na: en.ctimes.com.tw

Produkty