wersja mobilna
Online: 532 Czwartek, 2017.05.25

Biznes

Nadchodzi eksplozja zastosowań układów mocy z azotku galu

środa, 07 października 2015 12:51

Agencja analityczna Yole Developpement wycenia tegoroczną wartość rynku półprzewodników mocy wykonanych z azotku galu na 10 mln dolarów, ale przewiduje tempo średniego wzrostu rynku w latach 2016-2020 aż na 93% rocznie. Yole prognozuje, że pod koniec tego okresu wartość dostaw układów z azotku galu osiągnie 300 mln dolarów. Obecnie układy mocy wykonane w technologii GaN sprzedaje tylko kilka firm, wśród nich Infineon/IR, EPC, GaN Systems oraz Transphorm. O dynamice rozwoju sektora świadczą nie tak dawno dokonane fuzje, w tym wykupienie przez Infineona rok temu firmy International Rectifier za 3 mld dolarów czy przejęcie oddziału technologii konwersji mocy GaN Fujitsu przez spółkę Transphorm, a także ich przejście do etapu produkcji masowej.

Urządzenia z azotku galu pozwalają na uzyskanie znacznych oszczędności energii, ponieważ umożliwiają konwersję mocy przy dużo wyższych częstotliwościach niż w przypadku komponentów tradycyjnych. Wytwarzane są z nich na przykład wzmacniacze mocy pracujące w zakresie częstotliwości mikrofal, układy dużej mocy stosowane w samochodach tradycyjnych i elektrycznych, diody laserowe do odczytu dysków Blu-ray, diody LED od czerwieni po ultrafiolet, urządzenia do infrastruktury bezprzewodowej oraz panele fotowoltaiczne do satelitów.

Układy z azotku galu będą obecnie szybko wdrażane w licznych aplikacjach, jednak firmy rozwijające te technologie muszą dysponować odpowiednimi prawami własności intelektualnej. Do tej pory opatentowano ponad 1960 wynalazków związanych z układami mocy GaN. Wiele z nich zostało opublikowanych po 2005 i 2010 roku m.in. przez takie firmy, jak International Rectifier, Infineon, Rohm, Sumitomo, Fujitsu i Transphorm.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 25 maja 2017 17:52

Samsung Electronics Co. updated its foundry technology roadmap, including detailing its second-generation FD-SOI platform, several bulk silicon FinFET processes down to 5nm and a 4nm “post FinFET” structure process set to be in risk production in 2020. Samsung, which formally broke its foundry operation into a separate business unit called Samsung Foundry last week, also reiterated previously announced plans to put extreme ultraviolet lithography into production in 2018 at the 7nm node.

więcej na: www.eetimes.com

Produkty