wersja mobilna
Online: 682 Poniedziałek, 2016.12.05

Biznes

Samsung rozpoczął masową produkcję 128 GB pamięci DDR4

poniedziałek, 30 listopada 2015 07:53

Samsung Electronics ogłosił, że jako pierwszy w branży uruchomił masową produkcję pamięci TSV DDR4 - through silicon via double data rate-4 - o pojemności 128 gigabajtów. Wytwarzane moduły przeznaczone będą do serwerów korporacyjnych i centrów danych. Moduł 128GB TSV DDR4 RDIMM składa się ze 144 chipów DDR4 rozmieszczonych w postaci 36 4 GB pakietów DRAM, z których każdy zawiera cztery 20-nanometrowe układy 8-gigabitowe (Gb) montowane w najnowocześniejszej technologii pakowania TSV.

Nowy moduł pamięci RDIMM TSV stanowi kolejny przełom, który otwiera perspektywę konstruowania pamięci klasy serwerowej o bardzo dużej pojemności. Obecnie nowa pamięć Samsunga oferuje podczas pracy z dużą prędkością największą pojemność i najwyższą efektywność energetyczną spośród jakichkolwiek modułów DRAM, wykazując przy tym doskonałą niezawodność.

źródło: Samsung

 

World News 24h

poniedziałek, 05 grudnia 2016 12:05

Seeing demand for NAND flash storage rising and memory makers accelerating their development of 3D NAND flash products, Intel is planning to begin mass producing new 3D NAND flash products in 2017 to compete for datacenter, professional, consumer and embedded markets, which may pose a challenge for existing players including Samsung Electronics, SK Hynix, Toshiba and China-based players, according to sources from the upstream supply chain.

więcej na: www.digitimes.com