wersja mobilna
Online: 501 Sobota, 2016.12.10

Biznes

Samsung pełną parą wytwarza w Xi'an pamięci NAND 3D

poniedziałek, 01 lutego 2016 12:41

W zakładach położonych w starożytnym chińskim mieście Xi'an - głównym ośrodku Samsunga, gdzie wytwarzane są układy pamięci NAND 3D - firma osiągnęła cel produkcji wynoszący 100 tysięcy płytek krzemowych na miesiąc. Taka skala produkcji, w 100% wykorzystująca obecne moce przerobowe zakładów, jest możliwa dzięki ogromnemu popytowi na ten najnowszy typ układów pamięci o pionowej strukturze komórek. Koreańczycy wprowadzili na rynek technologię pamięci NAND 3D o nazwie V-NAND w sierpniu 2013 r. Jak podaje serwis BusinessKorea, Samsung zamówił do Xi’an wyposażenie do produkcji pamięci NAND 3D jeszcze w 2015 r., a od roku bieżącego będzie realizował kolejne inwestycje w linię produkcji tych układów.

Powyższa wielka wydajność produkcyjna została wypracowana w półtora roku od momentu uruchomienia fabryki w maju 2014 r. Początkowo miesięcznie powstawało tam 10 do 20 tysięcy płytek z układami NAND flash, a pułap 50 tysięcy firma przekroczyła w III kwartale 2015 r.

Popyt na układy NAND flash rośnie w tempie szybszym niż prognozowano i stąd taki rozmach inwestycji i wielkości produkcji. Samsung stosuje pamięci NAND 3D w kartach mikroSD, w serwerach, dyskach półprzewodnikowych i nieustannie rozwija ofertę produktów. W br. firma planuje wprowadzenie ich do urządzeń mobilnych, w tym smartfonów.

Samsung jako pierwszy wprowadził na rynek trójwymiarowe układy pamięci NAND (V-NAND) o 24 warstwach matryc komórek pamięci, stając się niekwestionowanym liderem innowacyjności w obszarze pamięci zewnętrznych. W drugiej generacji technologii NAND 3D komórki umieszczone były pionowo na 32 warstwach, a obecnie firma oferuje trzecią generację technologii, z 48 warstwami. W ubiegłym roku do grona wytwórców NAND 3D dołączyli rywale Samsunga, Micron wraz z Intelem (Intel Micron Flash Technologies), Toshiba (też już układa 48 warstw) oraz SK Hynix.

Era NAND 3D

Trójwymiarowa struktura układów NAND pozwala uzyskać większą gęstość upakowania komórek pamięci w porównaniu do struktur dwuwymiarowych, wytwarzanych w procesie 20 nm. Dzięki pionowemu rozmieszczeniu warstw, połączonych pionowymi przelotkami, uzyskana jest lepsza wydajność i niezawodność układów. Kości pamięci przy pionowej konfiguracji warstw są mniejsze, co znajduje odzwierciedlenie w cenach choćby dysków półprzewodnikowych o pojemności od 1 do 4 terabajtów.

Układ pionowy pozwala także budować fizycznie mniejsze układy, czyniąc je jeszcze lepszym rozwiązaniem do laptopów i tabletów. Ponadto przy konfiguracji 3D producenci nie muszą sięgać do najniższych procesów technologicznych - choć przy produkcji układów płaskich Samsung stosuje proces o wymiarze charakterystycznym 14 nm, do trójwymiarowych NAND wykorzystuje starszą technologię 32 nm.

Prognoza spadku kosztów wytwarzania pamięci NAND flash, źródło: Forbes

Prognoza spadku kosztów wytwarzania pamięci NAND flash, źródło: Forbes

W opinii serwisu BusinessKorea Samsung w tym roku przeznaczy kolejne środki finansowe na rozwój zakładu w Xi’an. Pierwszy etap inwestycji pochłonął 2,3 mld dolarów, firma nie zapowiada jednak, jaką kwotę przeznaczy na zakład w roku bieżącym. Aktualnie tylko 231 tysięcy z 1,124 miliona metrów kwadratowych powierzchni terenu zakładu jest wykorzystane pod działalność produkcyjną. Z drugiej strony, w obecnych warunkach szybko spadających cen produktów pamięci na rynkach komputerów osobistych, urządzeń mobilnych i serwerów, przed podjęciem dalszych decyzji o rozbudowie fabryki Samsung z pewnością będzie obserwował rozwój sytuacji i poczynań głównych rywali.

Według analityków z firmy TrendForce w połowie ubiegłego roku dostawy układów NAND 3D stanowiły jedynie około 3% całkowitej sprzedaży pamięci NAND flash, głównie ze względu na to, że do połowy 2015 r. pamięć o strukturze pionowej produkował seryjnie jedynie Samsung, a inni dostawcy w tym czasie dopiero testowali nową technologię. Błyskawiczny wzrost popularności NAND 3D sprawił, że pod koniec ubiegłego roku udział NAND 3D w całości dostaw NAND flash miał wzrosnąć do 20%, przewidywał TrendForce. Zgodnie z prognozami, w 2017 r. technologia NAND 3D ma zdominować rynek pamięci flash, zyskując w nim 65,7% dostaw.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

piątek, 09 grudnia 2016 16:12

Nantero has raised $21 million in funding for its carbon nanotube memory devices, which are an alternative to mainstream semiconductor chips. The Woburn, Mass.-based company makes nonvolatile random access memory (NRAM), which can be used in a variety of products, such as smartphones, tablets, enterprise systems, and notebook and desktop computers, as well as applications in the automotive and industrial markets.

więcej na: venturebeat.com

Produkty