wersja mobilna
Online: 963 Piątek, 2017.03.31

Biznes

Samsung pełną parą wytwarza w Xi'an pamięci NAND 3D

poniedziałek, 01 lutego 2016 12:41

W zakładach położonych w starożytnym chińskim mieście Xi'an - głównym ośrodku Samsunga, gdzie wytwarzane są układy pamięci NAND 3D - firma osiągnęła cel produkcji wynoszący 100 tysięcy płytek krzemowych na miesiąc. Taka skala produkcji, w 100% wykorzystująca obecne moce przerobowe zakładów, jest możliwa dzięki ogromnemu popytowi na ten najnowszy typ układów pamięci o pionowej strukturze komórek. Koreańczycy wprowadzili na rynek technologię pamięci NAND 3D o nazwie V-NAND w sierpniu 2013 r. Jak podaje serwis BusinessKorea, Samsung zamówił do Xi’an wyposażenie do produkcji pamięci NAND 3D jeszcze w 2015 r., a od roku bieżącego będzie realizował kolejne inwestycje w linię produkcji tych układów.

Powyższa wielka wydajność produkcyjna została wypracowana w półtora roku od momentu uruchomienia fabryki w maju 2014 r. Początkowo miesięcznie powstawało tam 10 do 20 tysięcy płytek z układami NAND flash, a pułap 50 tysięcy firma przekroczyła w III kwartale 2015 r.

Popyt na układy NAND flash rośnie w tempie szybszym niż prognozowano i stąd taki rozmach inwestycji i wielkości produkcji. Samsung stosuje pamięci NAND 3D w kartach mikroSD, w serwerach, dyskach półprzewodnikowych i nieustannie rozwija ofertę produktów. W br. firma planuje wprowadzenie ich do urządzeń mobilnych, w tym smartfonów.

Samsung jako pierwszy wprowadził na rynek trójwymiarowe układy pamięci NAND (V-NAND) o 24 warstwach matryc komórek pamięci, stając się niekwestionowanym liderem innowacyjności w obszarze pamięci zewnętrznych. W drugiej generacji technologii NAND 3D komórki umieszczone były pionowo na 32 warstwach, a obecnie firma oferuje trzecią generację technologii, z 48 warstwami. W ubiegłym roku do grona wytwórców NAND 3D dołączyli rywale Samsunga, Micron wraz z Intelem (Intel Micron Flash Technologies), Toshiba (też już układa 48 warstw) oraz SK Hynix.

Era NAND 3D

Trójwymiarowa struktura układów NAND pozwala uzyskać większą gęstość upakowania komórek pamięci w porównaniu do struktur dwuwymiarowych, wytwarzanych w procesie 20 nm. Dzięki pionowemu rozmieszczeniu warstw, połączonych pionowymi przelotkami, uzyskana jest lepsza wydajność i niezawodność układów. Kości pamięci przy pionowej konfiguracji warstw są mniejsze, co znajduje odzwierciedlenie w cenach choćby dysków półprzewodnikowych o pojemności od 1 do 4 terabajtów.

Układ pionowy pozwala także budować fizycznie mniejsze układy, czyniąc je jeszcze lepszym rozwiązaniem do laptopów i tabletów. Ponadto przy konfiguracji 3D producenci nie muszą sięgać do najniższych procesów technologicznych - choć przy produkcji układów płaskich Samsung stosuje proces o wymiarze charakterystycznym 14 nm, do trójwymiarowych NAND wykorzystuje starszą technologię 32 nm.

Prognoza spadku kosztów wytwarzania pamięci NAND flash, źródło: Forbes

Prognoza spadku kosztów wytwarzania pamięci NAND flash, źródło: Forbes

W opinii serwisu BusinessKorea Samsung w tym roku przeznaczy kolejne środki finansowe na rozwój zakładu w Xi’an. Pierwszy etap inwestycji pochłonął 2,3 mld dolarów, firma nie zapowiada jednak, jaką kwotę przeznaczy na zakład w roku bieżącym. Aktualnie tylko 231 tysięcy z 1,124 miliona metrów kwadratowych powierzchni terenu zakładu jest wykorzystane pod działalność produkcyjną. Z drugiej strony, w obecnych warunkach szybko spadających cen produktów pamięci na rynkach komputerów osobistych, urządzeń mobilnych i serwerów, przed podjęciem dalszych decyzji o rozbudowie fabryki Samsung z pewnością będzie obserwował rozwój sytuacji i poczynań głównych rywali.

Według analityków z firmy TrendForce w połowie ubiegłego roku dostawy układów NAND 3D stanowiły jedynie około 3% całkowitej sprzedaży pamięci NAND flash, głównie ze względu na to, że do połowy 2015 r. pamięć o strukturze pionowej produkował seryjnie jedynie Samsung, a inni dostawcy w tym czasie dopiero testowali nową technologię. Błyskawiczny wzrost popularności NAND 3D sprawił, że pod koniec ubiegłego roku udział NAND 3D w całości dostaw NAND flash miał wzrosnąć do 20%, przewidywał TrendForce. Zgodnie z prognozami, w 2017 r. technologia NAND 3D ma zdominować rynek pamięci flash, zyskując w nim 65,7% dostaw.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

czwartek, 30 marca 2017 20:04

TSMC is currently manufacturing the MediaTek 10nm, deca core based Helio X30 and it looks like in 2018, TSMC might be ready for 7nm and twelve core SoCs from the same house. Samsung and Qualcomm are already pumping out millions of 10nm SoCs as we speak, and it all looks ready for the March 29 date, ot shall we say today's introduction of the Samsung Galaxy S8 phone. Samsung’s usual strategy is to ship the phone in the following month making the actual shipping happening at the beginning of Q2 2017.

więcej na: www.fudzilla.com