wersja mobilna
Online: 801 Poniedziałek, 2017.04.24

Biznes

Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM 10 nm

środa, 06 kwietnia 2016 07:51

Firma Samsung Electronics ogłosiła, że jako pierwsza w branży rozpoczęła masową produkcję 10-nanometrowych chipów DRAM klasy 8Gb DDR4. Dla Samsunga to kolejny skok technologiczny od czasu uruchomienia w 2014 r. masowego wytwarzania 20-nanometrowych układów DRAM 4Gb DDR3. Koreańczycy otworzyli drzwi do klasy 10 nm po przezwyciężeniu problemów technicznych przy pomocy dostępnego obecnie fluorku argonu (ArF), litografii zanurzeniowej oraz sprzętu niewymagającego stosowania EUV (extreme ultra violet). Postęp osiągnięty przez Samsunga pomoże przyspieszyć przejście całej branży na zaawansowane pamięci DDR4.

Chip DRAM 8Gb DDR4 klasy 10 nm jest o 30% wydajniejszy od układu 8Gb DDR4 20 nm. Nowa pamięć obsługuje szybkość transferu danych 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli o ponad 30% szybciej niż 2,400 Mbps w przypadku DRAM DDR4 20 nm. Ponadto nowe moduły złożone z chipów klasy 10 nm zużywają od 10 do 20% mniej energii w porównaniu z odpowiednikami 20-nanometrowymi.

W niedalekiej przyszłości Samsung planuje również uruchomienie produkcji nowej generacji 10-nanometrowych modułów DRAM dla urządzeń mobilnych.

źródło: Business Wire

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

poniedziałek, 24 kwietnia 2017 09:52

North America-based manufacturers of semiconductor equipment posted $2.03 billion in billings worldwide in March 2017, according to SEMI. The billings figure is 2.6 percent higher than the final February 2017 level of $1.97 billion, and is 69.2 percent higher than the March 2016 billings level of $1.20 billion. “March billings reached robust levels not seen since March 2001," said Dan Tracy, senior director, Industry Research and Statistics, SEMI. “The equipment industry is clearly benefiting from the latest semiconductor investment cycle.”

więcej na: www.semi.org