wersja mobilna
Online: 433 Czwartek, 2017.07.27

Biznes

Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM 10 nm

środa, 06 kwietnia 2016 07:51

Firma Samsung Electronics ogłosiła, że jako pierwsza w branży rozpoczęła masową produkcję 10-nanometrowych chipów DRAM klasy 8Gb DDR4. Dla Samsunga to kolejny skok technologiczny od czasu uruchomienia w 2014 r. masowego wytwarzania 20-nanometrowych układów DRAM 4Gb DDR3. Koreańczycy otworzyli drzwi do klasy 10 nm po przezwyciężeniu problemów technicznych przy pomocy dostępnego obecnie fluorku argonu (ArF), litografii zanurzeniowej oraz sprzętu niewymagającego stosowania EUV (extreme ultra violet). Postęp osiągnięty przez Samsunga pomoże przyspieszyć przejście całej branży na zaawansowane pamięci DDR4.

Chip DRAM 8Gb DDR4 klasy 10 nm jest o 30% wydajniejszy od układu 8Gb DDR4 20 nm. Nowa pamięć obsługuje szybkość transferu danych 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli o ponad 30% szybciej niż 2,400 Mbps w przypadku DRAM DDR4 20 nm. Ponadto nowe moduły złożone z chipów klasy 10 nm zużywają od 10 do 20% mniej energii w porównaniu z odpowiednikami 20-nanometrowymi.

W niedalekiej przyszłości Samsung planuje również uruchomienie produkcji nowej generacji 10-nanometrowych modułów DRAM dla urządzeń mobilnych.

źródło: Business Wire

 

World News 24h

środa, 26 lipca 2017 19:51

Taiwan's Hon Hai Precision Industry will double its production of servers in the inland Chinese province of Guizhou to meet growing domestic demand driven by the spread of big data analysis. The company hopes to offset the impact of China's slowing economic growth by strengthening its operations in Guizhou, a province that has been logging double-digit growth by focusing on the big data business.

więcej na: www.reuters.com