wersja mobilna
Online: 506 Poniedziałek, 2017.02.20

Biznes

Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM 10 nm

środa, 06 kwietnia 2016 07:51

Firma Samsung Electronics ogłosiła, że jako pierwsza w branży rozpoczęła masową produkcję 10-nanometrowych chipów DRAM klasy 8Gb DDR4. Dla Samsunga to kolejny skok technologiczny od czasu uruchomienia w 2014 r. masowego wytwarzania 20-nanometrowych układów DRAM 4Gb DDR3. Koreańczycy otworzyli drzwi do klasy 10 nm po przezwyciężeniu problemów technicznych przy pomocy dostępnego obecnie fluorku argonu (ArF), litografii zanurzeniowej oraz sprzętu niewymagającego stosowania EUV (extreme ultra violet). Postęp osiągnięty przez Samsunga pomoże przyspieszyć przejście całej branży na zaawansowane pamięci DDR4.

Chip DRAM 8Gb DDR4 klasy 10 nm jest o 30% wydajniejszy od układu 8Gb DDR4 20 nm. Nowa pamięć obsługuje szybkość transferu danych 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli o ponad 30% szybciej niż 2,400 Mbps w przypadku DRAM DDR4 20 nm. Ponadto nowe moduły złożone z chipów klasy 10 nm zużywają od 10 do 20% mniej energii w porównaniu z odpowiednikami 20-nanometrowymi.

W niedalekiej przyszłości Samsung planuje również uruchomienie produkcji nowej generacji 10-nanometrowych modułów DRAM dla urządzeń mobilnych.

źródło: Business Wire

 

World News 24h

niedziela, 19 lutego 2017 20:02

South Korean semiconductor businesses are seeking to take the initiative in the 3D NAND flash market by increasing investment in facilities this year by approximately 30 percent compared to last year. This is to secure technological advantage over other competitors with large preemptive investments. According to SEMI, Samsung Electronics and SK Hynix are planning to inject US$14 billion (15.97 trillion won) into semiconductor facilities this year.

więcej na: www.businesskorea.co.kr