wersja mobilna
Online: 503 Piątek, 2017.06.23

Biznes

Europejski bipolarny tranzystor SiGe 0,5THz

poniedziałek, 16 czerwca 2008 13:23

Powstało europejskie konsorcjum przemysłowo-akademickie, mające na celu opracowanie zaawansowanych, opartych na krzemie, bipolarnych tranzystorów o maksymalnej częstotliwości pracy 0,5THz na falach milimetrowych. Są przewidziane do zastosowań w łączności, w radarach, do przetwarzania informacji graficznych i do czujników. Zaplanowany na 36 miesięcy projekt, nazwany Dotfive, z budżetem 14,75 milionów euro, z wkładem 9,7 milionów euro z Komisji Europejskiej, staje się największym projektem nanoelektronicznym „More than Moore” w Siódmym Programie Ramowym KE.

Celem projektu jest zapewnienie w Europie silnej pozycji rynkowej dla krzemowo-germanowym bipolarnych tranzystorów heterozłączowych (SiGe HBT) do zastosowań na falach milimetrowych. Jest to próba wprowadzenia zastosowań mikrofalowych do krzemu, w przeciwstawieniu do używanych w tym zakresie innych półprzewodników, które są droższe, i nie pozwalają na scalanie na dużą skalę. W pierwszym roku głównym zadaniem projektu będzie osiągnięcie częstotliwości 300GHz z odpowiadającą jej zwłoką 3,5ps. Planuje się osiągnięcie w drugim roku 400GHz i 3ps, a w trzecim 500GHz i 2,5ps. Ostatecznie partnerzy zamierzają wkroczyć w zakres terahercowy, rozciągający się od 300GHz do 10THz. Otworzy to tę dziedzinę na wiele aplikacji, jak systemy przetwarzania informacji graficznych, zabezpieczania, czy medycznych i naukowych, eksploatowanych teraz przez inne technologie.

Początkowo projekt ma dostarczyć potwierdzenia koncepcji i wykazać możliwości technologii opartej na krzemie. Przygotowywany jest następny krok technologiczny, który pomoże przekroczyć rok 2012. Można będzie wtedy przejść do kolejnych projektów, bliższych fazy uprzemysłowienia.

Projekt Dotfive, prowadzony przez STMicroelectronics, połączył partnerów akademickich, którymi są Uniwersytet Keplera w Linzu (Austria), Państwowa Szkoła Elektroniki, IT i Radiołączności w Bordeaux, Uniwersytet Paryż-Południe (Francja), Techniczny Uniwersytet w Dreźnie, Uniwersytet Bundeswery w Monachium, Uniwersytet w Siegen i IHP (Niemcy), Uniwersytet w Neapolu (Włochy), Uniwersytet Badawczy w Leuven (Belgia) oraz partnerów przemysłowych, XMOD Technologies (Talence, Francja), GWT-TUD GmbH (Drezno, Niemcy) i Infineon Technologies (Monachium, Niemcy).

Krzysztof Pochwalski

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

piątek, 23 czerwca 2017 20:06

Foxconn is set to cease its manufacturing activities in Brazil, according to sources close to the Taiwanese company. The company's staff have been working on shutting down the facility located in Jundiaí, a city in the metropolitan region of Sao Paulo, and assisting on the deactivation and sale of machinery, according to Brazilian business magazine IstoÉDinheiro. Foxconn had a second facility in the same business park, which is already empty. The idea is to only keep a limited local set-up intended for parts replacement and maintenance, according to the article.

więcej na: www.zdnet.com