wersja mobilna
Online: 654 Sobota, 2017.05.27

Biznes

Europejski bipolarny tranzystor SiGe 0,5THz

poniedziałek, 16 czerwca 2008 13:23

Powstało europejskie konsorcjum przemysłowo-akademickie, mające na celu opracowanie zaawansowanych, opartych na krzemie, bipolarnych tranzystorów o maksymalnej częstotliwości pracy 0,5THz na falach milimetrowych. Są przewidziane do zastosowań w łączności, w radarach, do przetwarzania informacji graficznych i do czujników. Zaplanowany na 36 miesięcy projekt, nazwany Dotfive, z budżetem 14,75 milionów euro, z wkładem 9,7 milionów euro z Komisji Europejskiej, staje się największym projektem nanoelektronicznym „More than Moore” w Siódmym Programie Ramowym KE.

Celem projektu jest zapewnienie w Europie silnej pozycji rynkowej dla krzemowo-germanowym bipolarnych tranzystorów heterozłączowych (SiGe HBT) do zastosowań na falach milimetrowych. Jest to próba wprowadzenia zastosowań mikrofalowych do krzemu, w przeciwstawieniu do używanych w tym zakresie innych półprzewodników, które są droższe, i nie pozwalają na scalanie na dużą skalę. W pierwszym roku głównym zadaniem projektu będzie osiągnięcie częstotliwości 300GHz z odpowiadającą jej zwłoką 3,5ps. Planuje się osiągnięcie w drugim roku 400GHz i 3ps, a w trzecim 500GHz i 2,5ps. Ostatecznie partnerzy zamierzają wkroczyć w zakres terahercowy, rozciągający się od 300GHz do 10THz. Otworzy to tę dziedzinę na wiele aplikacji, jak systemy przetwarzania informacji graficznych, zabezpieczania, czy medycznych i naukowych, eksploatowanych teraz przez inne technologie.

Początkowo projekt ma dostarczyć potwierdzenia koncepcji i wykazać możliwości technologii opartej na krzemie. Przygotowywany jest następny krok technologiczny, który pomoże przekroczyć rok 2012. Można będzie wtedy przejść do kolejnych projektów, bliższych fazy uprzemysłowienia.

Projekt Dotfive, prowadzony przez STMicroelectronics, połączył partnerów akademickich, którymi są Uniwersytet Keplera w Linzu (Austria), Państwowa Szkoła Elektroniki, IT i Radiołączności w Bordeaux, Uniwersytet Paryż-Południe (Francja), Techniczny Uniwersytet w Dreźnie, Uniwersytet Bundeswery w Monachium, Uniwersytet w Siegen i IHP (Niemcy), Uniwersytet w Neapolu (Włochy), Uniwersytet Badawczy w Leuven (Belgia) oraz partnerów przemysłowych, XMOD Technologies (Talence, Francja), GWT-TUD GmbH (Drezno, Niemcy) i Infineon Technologies (Monachium, Niemcy).

Krzysztof Pochwalski

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

piątek, 26 maja 2017 20:03

Toshiba has told its creditor banks that it will be difficult to select joint venture partner Western Digital as the buyer of its chip business after talks between the partners sputtered the previous day, sources close to the matter said Thursday. In a meeting with major banks including Sumitomo Mitsui Financial Group and Mizuho Financial Group in Tokyo Thursday, Toshiba revealed that all of the bidders offered at least $17.9 billion for Toshiba Memory, which the company is eager to sell to fund its turnaround, the sources said.

więcej na: www.japantimes.co.jp