wersja mobilna
Online: 1248 Środa, 2017.09.20

Biznes

Toshiba i WD zainwestują w Japonii do 14,5 mld dol. w produkcję pamięci flash

czwartek, 01 września 2016 11:48

Toshiba do spółki z Western Digital wydadzą do 14,5 mld dol. w okresie najbliższych trzech lat na rozwój produkcji układów pamięci flash we wspólnie zarządzanych zakładach w Yokkaichi w Japonii. Western Digital uzyskał udziały w fabryce pamięci w Yokkaichi wraz z przejętym SanDiskiem - wcześniejszym strategicznym partnerem Toshiby, poinformował serwis informacyjny Nikkei.

Według obecnych założeń inwestycyjnych w kompleksie Yokkaichi powstanie w pełni wyposażony, nowy zakład fabryczny, a inne działające tam fabryki otrzymają nowy sprzęt produkcyjny. Wydatki planowane przez firmę na okres najbliższych trzech lat mają być o 30% wyższe niż w analogicznych okresach wcześniejszych.

Rys. 1. Zdjęcie-schemat kompleksu technologiczno-produkcyjnego pamięci NAND flash w Yokkaichi, Japonia. Na niebiesko po prawej stronie zaznaczono miejsce, w którym postawiony ma być nowy zakład fabryczny.

Yokkaichi, główne centrum technologiczne Toshiby, skupia szereg fabryk układów scalonych, m.in. Fab3, 4 i 5. W zakładach Fab 5 na wiosnę br. rozpoczęto produkcję masową układów pamięci flash 3D. Przejście na produkcję układów 3D wiąże się ze zwiększeniem wydajności produkcyjnej co najmniej ośmiokrotnie w porównaniu do planarnych układów pamięci flash. Najnowsze, trójwymiarowe pamięci oznaczają dalszą miniaturyzację podzespołów oraz niższy pobór prądu w smartfonach, urządzeniach magazynowania danych i innym sprzęcie elektronicznym.

Pamięć flash jest coraz powszechniej stosowana właściwie wszędzie, zastępując starsze typy pamięci. Serwis Nikkei przewiduje, że w 2020 r. sprzedaż układów flash będzie sześciokrotnie większa, niż w roku ubiegłym. Komercyjną sprzedaż układów pamięci flash 3D na świecie zainaugurował Samsung. Południowokoreańska firma w roku ubiegłym zainwestowała łącznie 12,8 mld dol. w rozwój technologii, w tym zarówno trójwymiarowych pamięci flash, jak i DRAM oraz układów SoC.

Toshiba już wcześniej wymiernie podwyższyła pulę środków przeznaczoną na inwestycje w rozwój technologii pamięci, w szczególności zaawansowanych układów flash 3D. Pierwotnie w marcu br. Japończycy zadeklarowali wydanie 3,2 mld dol. na nowy zakład produkcji flash 3D w okresie najbliższych 3 lat, tj. do marca 2019 r. Następnie już pod koniec marca Toshiba informowała o przyjęciu budżetu ponad 7,5 mld dol. na postawienie i uruchomienie nowej fabryki półprzewodników pamięci w Yokkaichi oraz inwestycje w narzędzia do produkcji 3D NAND w istniejących zakładach do roku 2016.

Przyspieszenie inwestycji

Rys. 2. Udział dostawców pamięci NAND flash w globalnym rynku w III kw. 2014 (kolor niebieski) i 2015 (kolor żółty) r., źródło: Market Realist

Toshiba i WD zamierzają ustalić szczegóły odnośnie inwestowanych 14,5 mld dol., w tym przyjąć harmonogram wydatków, na podstawie analiz warunków rynkowych. Sprzedaż pamięci flash, w tym 3D, jest obecnie oczkiem w głowie wielu potentatów branży.

Pamięci flash wytwarzają m.in. Micron, EMC Corp. przejęta w ostatnim kw. 2015 r. przez Della za rekordowe 76 mld dol., SK Hynix, WD - którego 10% udziałów zakupiła chińska Tsinghua, natomiast liderem rynku jest niezmiennie Samsung. Rywalizację z tym ostatnim Japończycy traktują szczególnie serio - prezes Toshiby Satoshi Tsunakawa stwierdził niedawno, że w produkcji pamięci flash jego firma chce utrzymać drugą pozycję na świecie.

Fabryki Samsunga, w których powstają pamięci 3D, znajdują się w Xi’an w Chinach i kilku innych lokalizacjach, natomiast Japończycy koncentrują większość prac projektowych i produkcyjnych właśnie w kompleksie technologicznym w Yokkaichi. Na razie Toshiba nie ujawnia jednak wielkości docelowej produkcji układów flash 3D w nowym zakładzie, wiemy natomiast, że wydajność Xi’an wynosi 100 tysięcy płytek krzemowych na miesiąc produkowanych w technologii 3D V-NAND.

Poza produkcją trójwymiarowych układów NAND Toshiba planuje rozwój układów pamięci typu ReRAM i MRAM, przeznaczonych do szybkich dysków SSD. Ponadto japońska firma zamierza otworzyć centrum projektowe dysków SSD w Ameryce Północnej oraz rozwijać ofertę dysków twardych Enterprise dla pamięci masowej typu nearline.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

wtorek, 19 września 2017 20:07

Intel’s CFO Bob Swan has a plan to double Intel’s market cap to $300 billion and double its eps from $2.21 to $4 by 2021, reports The Oregonian. Datacentre and memory are the areas which will propel this growth, according to Swan. The growth in market cap will also be driven by constant cost-cutting. The plan envisages that Intel’s datacentre business will grow 10% annually till 2021, its memory business will grow 33% annually and its IoT business will grow 13% annually. PC is expected to shrink 1% annually.

więcej na: www.electronicsweekly.com