wersja mobilna
Online: 2258 Wtorek, 2017.03.28

Biznes

Nanorurki węglowe w tranzystorach pokonały krzem

wtorek, 06 września 2016 11:31

Przez dziesięciolecia naukowcy próbowali wykorzystać unikalne właściwości nanorurek węglowych do tworzenia układów elektronicznych o wysokiej wydajności, które są szybsze i zużywają mniej energii. Teraz, po raz pierwszy, inżynierowie z University of Wisconsin-Madison stworzyli nanorurkowe tranzystory, które wydajnością przewyższają tranzystory krzemowe. Zespół badawczy prowadzony przez profesorów Michaela Arnolda i Padmę Gopalan zbudował układ z nanorurek węglowych działający przy prądzie 1,9 raza wyższym niż w przypadku tranzystorów krzemowych. Informację o osiągnięciu opublikowano w czasopiśmie Science Advances.

- Osiągnięcie to było marzeniem nanotechnologii od ostatnich 20 lat. Tworzenie tranzystorów wykorzystujących nanorurki węglowe, które są lepsze niż tranzystory krzemowe to wielki krok naprzód. Przełom w wydajności tranzystorów nanorurkowych jest krytyczny dla osiągania postępu w kierunku wykorzystania nanorurek w logice, szybkiej komunikacji i innych technologiach półprzewodnikowych - mówił Michael Arnold.

Aktualne rezultaty badań mogą utorować tranzystorom z nanorurek węglowych drogę do zastąpienia tranzystorów krzemowych i zapewnić dalszy wzrost wydajności elektroniki oczekiwany przez konsumentów. Nowe tranzystory są szczególnie obiecujące w przypadku zastosowań w komunikacji bezprzewodowej, gdzie wymagane są duże wartości prądu płynące przez stosunkowo małe powierzchnie. Zgodnie z ekstrapolacją pomiarów dotyczących pojedynczych nanorurek tranzystory nanorurkowe powinny być w stanie pracować pięciokrotnie szybciej lub zużywać pięć razy mniej energii niż tranzystory z krzemu.

źródło: University of Wisconsin-Madison

 

World News 24h

wtorek, 28 marca 2017 10:03

Transphorm Inc. announced that its second generation, JEDEC-qualified high voltage GaN technology is now the industry’s first GaN solution to earn automotive qualification - having passed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors. Transphorm’s automotive GaN FET, the TPH3205WSBQA, offers an on-resistance of 49 milliOhms in an industry standard TO-247 package. The part initially targets on-board charger and DC to DC systems for plug-in hybrid electric vehicles and battery electric vehicles.

więcej na: www.transphormusa.com