wersja mobilna
Online: 722 Sobota, 2017.06.24

Biznes

Nanorurki węglowe w tranzystorach pokonały krzem

wtorek, 06 września 2016 11:31

Przez dziesięciolecia naukowcy próbowali wykorzystać unikalne właściwości nanorurek węglowych do tworzenia układów elektronicznych o wysokiej wydajności, które są szybsze i zużywają mniej energii. Teraz, po raz pierwszy, inżynierowie z University of Wisconsin-Madison stworzyli nanorurkowe tranzystory, które wydajnością przewyższają tranzystory krzemowe. Zespół badawczy prowadzony przez profesorów Michaela Arnolda i Padmę Gopalan zbudował układ z nanorurek węglowych działający przy prądzie 1,9 raza wyższym niż w przypadku tranzystorów krzemowych. Informację o osiągnięciu opublikowano w czasopiśmie Science Advances.

- Osiągnięcie to było marzeniem nanotechnologii od ostatnich 20 lat. Tworzenie tranzystorów wykorzystujących nanorurki węglowe, które są lepsze niż tranzystory krzemowe to wielki krok naprzód. Przełom w wydajności tranzystorów nanorurkowych jest krytyczny dla osiągania postępu w kierunku wykorzystania nanorurek w logice, szybkiej komunikacji i innych technologiach półprzewodnikowych - mówił Michael Arnold.

Aktualne rezultaty badań mogą utorować tranzystorom z nanorurek węglowych drogę do zastąpienia tranzystorów krzemowych i zapewnić dalszy wzrost wydajności elektroniki oczekiwany przez konsumentów. Nowe tranzystory są szczególnie obiecujące w przypadku zastosowań w komunikacji bezprzewodowej, gdzie wymagane są duże wartości prądu płynące przez stosunkowo małe powierzchnie. Zgodnie z ekstrapolacją pomiarów dotyczących pojedynczych nanorurek tranzystory nanorurkowe powinny być w stanie pracować pięciokrotnie szybciej lub zużywać pięć razy mniej energii niż tranzystory z krzemu.

źródło: University of Wisconsin-Madison

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

sobota, 24 czerwca 2017 07:58

A flavor of resistive RAM (ReRAM) has overcome a significant hurdle that has it nipping at DRAM's heels. 4DS Memory Limited recently announced that architectural changes to its patented Interface Switching ReRAM have improved read access so dramatically that it is now comparable to DRAM. In a telephone interview with EE Times, company CEO and Managing Director Guido Arnout said the development places the company in a hallway with a lot of doors it could potentially walk through.

więcej na: www.eetimes.com