wersja mobilna
Online: 559 Sobota, 2017.06.24

Biznes

Samsung oraz Hynix razem pracują nad STT-MRAM

niedziela, 03 sierpnia 2008 01:00
Obydwie firmy ogłosiły, iż rozpoczną współpracę w celu opracowania oraz standaryzacji technologii układów STT-MRAM (spin-torque-transfer MRAM). Dalsze plany obejmują także rozpoczęcie produkcji tych układów na płytkach w wymiarze 450mm. Według przedstawicieli obydwu firm, wspólne badania mają rozpocząć się już we wrześniu bieżącego roku. Decyzja o rozpoczęciu współpracy przez dwóch największych koreańskich producentów została podjęta m.in. w celu uniknięcia konieczności płacenia kosztów licencyjnych zagranicznym, głównie Japońskim, firmom.
 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

sobota, 24 czerwca 2017 07:58

A flavor of resistive RAM (ReRAM) has overcome a significant hurdle that has it nipping at DRAM's heels. 4DS Memory Limited recently announced that architectural changes to its patented Interface Switching ReRAM have improved read access so dramatically that it is now comparable to DRAM. In a telephone interview with EE Times, company CEO and Managing Director Guido Arnout said the development places the company in a hallway with a lot of doors it could potentially walk through.

więcej na: www.eetimes.com