wersja mobilna
Online: 2347 Wtorek, 2017.03.28

Biznes

Samsung oraz Hynix razem pracują nad STT-MRAM

niedziela, 03 sierpnia 2008 01:00
Obydwie firmy ogłosiły, iż rozpoczną współpracę w celu opracowania oraz standaryzacji technologii układów STT-MRAM (spin-torque-transfer MRAM). Dalsze plany obejmują także rozpoczęcie produkcji tych układów na płytkach w wymiarze 450mm. Według przedstawicieli obydwu firm, wspólne badania mają rozpocząć się już we wrześniu bieżącego roku. Decyzja o rozpoczęciu współpracy przez dwóch największych koreańskich producentów została podjęta m.in. w celu uniknięcia konieczności płacenia kosztów licencyjnych zagranicznym, głównie Japońskim, firmom.
 

World News 24h

wtorek, 28 marca 2017 10:03

Transphorm Inc. announced that its second generation, JEDEC-qualified high voltage GaN technology is now the industry’s first GaN solution to earn automotive qualification - having passed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors. Transphorm’s automotive GaN FET, the TPH3205WSBQA, offers an on-resistance of 49 milliOhms in an industry standard TO-247 package. The part initially targets on-board charger and DC to DC systems for plug-in hybrid electric vehicles and battery electric vehicles.

więcej na: www.transphormusa.com