wersja mobilna
Online: 698 Piątek, 2017.04.28

Biznes

Nowy interfejs pamięci Flash NAND

środa, 31 grudnia 2008 01:00

Firmy Intel i Micron Technology wspólnie opracowały kolejną nową technologię interfejsu pamięci Flash NAND, pozwalającą pięciokrotnie zwiększyć szybkość transferu danych. Pierwsze układy NAND tej technologii, otwierające nową klasę zastosowań, wyprodukowano w firmie Micron. Technologia ta, owoc współpracy Intela i Microna, jest zgodna z nową specyfikacją interfejsu, sformułowaną przez Grupę Roboczą Open NAND Flash Interface (ONFi). Grupa ta powstała w roku 2006 i liczy obecnie 71 członków.

Specyfikacja, nazwana ONfi2.0, definiuje bardzo szybki synchroniczny interfejs pamięci Flash NAND, który ma rozwijać szybkość do 133MB/s. Szybkość działania aktualnego asynchronicznego interfejsu pamięci NAND nie przekracza 50MB/s, co ogranicza możliwości stosowania np. półprzewodnikowych pamięci przenośnych.

Czas transferu danych przez urządzenia zgodne ze specyfikacją ONfi2.0 do i z bufora danych został zmniejszony za pomocą dwóch technik: sygnalizowania podwójnej szybkości danych (DDR) i synchronizowania sygnału zegarowego ze źródłem. Nowa technologia usuwa dokuczliwe utrudnienia w interfejsie pamięci.

Intel i Micron posunęli tę technologię o krok dalej. Przy użyciu czteropłaszczyznowej architektury szybkość interfejsu NAND może osiągnąć 200MB/s przy odczycie danych i 100MB/s przy zapisie. W porównaniu z konwencjonalnymi jednopoziomowymi komórkami NAND, o szybkości odczytu 40MB/s i zapisu 10MB/s, jest to rzeczywiście dużo.

Użytkownik będzie mógł przekazywać dane komputerowe, wideo, fotograficzne czy inne w ułamku dotychczasowego czasu. Transfer danych cyfrowych pomiędzy urządzeniami, jak komputer, cyfrowy aparat foto, odtwarzacz MP3 czy telefon komórkowy stanie się również dużo szybszy.

Rynek komputerowy przejmie nowe rozwiązania pamięci NAND , aby przyspieszyć działanie systemów przez użycie szybszych półprzewodnikowych pamięci podręcznych i przenośnych. Przy szybkości blisko pięciokrotnie większej w stosunku do konwencjonalnych NAND, szybkie pamięci NAND Intela i Microna, oparte na standardzie przemysłowym ONfi2.0, umożliwią tworzenie nowych rozwiązań wbudowanych i przenośnych, wykorzystujących zalety szybkich interfejsów, na przykład PCIe czy przyszłego USB 3.0. Nowa technologia pozwoli na przykład napędom hybrydowym pobierać i oddawać dane z szybkością dwu- do czterokrotnie większą w porównaniu do napędów tradycyjnych.

Micron planuje wejść na rynek jako pierwsze przedsiębiorstwo, które wprowadzi pamięć opartą na nowej technologii. Firma zapowiada układy 8-gigabitowe o komórkach jednopoziomowych (SLC). Zaprojektowana w procesie 50nm bardzo szybka pamięć NAND jest przewidziana dla OEM i dla producentów kontrolerów, a jej masowa produkcja ma się rozpocząć w drugiej połowie 2008 roku.

Micron zamierza w przyszłym roku zaprezentować układy NAND oparte na ONfi2.0, w tym wersje z komórkami wielopoziomowymi (MLC). W następnych generacjach specyfikacji przewidywana jest szybkość do 400MB/s. Prawdopodobnie nowa wersja specyfikacji ONfizostanie skończona w 2009. ONfitworzą firmy Hynix Semiconductor, Intel, Micron, Phison, Sony i STMicroelectronics.

Krzysztof Pochwalski

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

piątek, 28 kwietnia 2017 18:06

The Innovation Network Company of Japan, a government bail-out fund for troubled companies, is to sell a 20% stake in Renesas. INCJ currently holds 69% of Renesas after bailing out the company in 2013. At that time the company had cumulative losses of some $6 billion over the previous seven years. INCJ bought its stake for $1.86 billion. About a dozen other Japanese companies also invested around $610 million in the bail-out. The New York private equity company KKR tried to buy Renesas but was thwarted by the INCJ deal.

więcej na: www.electronicsweekly.com