wersja mobilna
Online: 1132 Poniedziałek, 2017.05.29

Biznes

Producenci DDR3 nie nadążają za popytem

środa, 12 sierpnia 2009 13:14

Dostawy układów DDR3 SDRAM są niewystarczające w obliczu wzrastającego zapotrzebowania na rynku. Dodatkowo, zbyt niska podaż w stosunku do popytu jest także udziałem segmentu DDR2. Sytuacja ta doprowadziła do wzrostu cen tych pamięci. Według iSuppli, w III kw. braki na rynku będą jeszcze bardziej odczuwalne.

Będzie na to miało wpływ niskie tempo migracji producentów do procesów w technologii 50 nm, a jest to czynnik niezbędny, aby podaż układów DDR3 znacząco wzrosła. Wynikiem tego będą równocześnie braki pamięci typu DDR2, jako że wielu producentów, aby nadążyć za popytem wykorzysta linie dotychczas wytwarzające pamięci drugiej generacji do zwiększenia wolumenu produkcji DDR3.

W związku z wyrównaniem się poziomu popytu i podaży, iSuppli zmieniło krótko terminowe prognozy dla producentów DRAM na pozytywne. Zdaniem analityków, sytuacja ta jest korzystna dla rynku, jako że od prawie trzech lat obserwowano stan przesycenia. Nadpodaż doprowadziła do spadku cen a łączne obroty zmalały z 34 mld dolarów w 2006 r. do 23,6 mld w ubiegłym.

W okresie tym znacząco obniżyła się rentowność tego biznesu, a łączne straty operacyjne producentów DRAM w przeciągu ostatnich trzech lat wyniosły 15 mld dolarów. W II kw. obroty wzrosły natomiast o 37,5% wobec poprzedniego, osiągając pułap 4,6 mld dolarów. W dalszej części roku branże czekają dalsze wzrosty, a obroty wyniosą w III i IV kw. odpowiednio 5,715 i 7,185 mld dolarów.


Rok

2008

2009

Kwartał

I kw.

II kw.

III kw.

IV kw.

I kw.

II kw.

III kw.

IV kw.

Obroty

5,945

6,787

6,695

4,156

3,347

4,602

5,715

7,186

Obroty na rynku DRAM w latach 2008-2009 według prognoz iSuppli (dane w mld dolarów).

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

poniedziałek, 29 maja 2017 17:49

Texas Instruments introduced two new device families that help reduce size and weight in motor drive applications. When used together, DRV832x brushless DC gate drivers and CSD88584/99 NexFET Power Blocks require as little as 511 mm², half the board space of competing solutions. The DRV832x BLDC gate drivers feature a smart gate-drive architecture that eliminates up to 24 components traditionally used to set the gate drive current while enabling designers to easily adjust field-effect transistor (FET) switching to optimize power loss and electromagnetic compliance.

więcej na: newscenter.ti.com

Produkty