wersja mobilna
Online: 552 Czwartek, 2017.05.25

Biznes

Unia Europejska zwiększy nakłady na innowacyjność

poniedziałek, 21 września 2009 07:28

Unia Europejska wydała 229 mld euro na działania związane z badaniami i rozwojem w 2007 r., co stanowiło 1,85% całkowitego produktu brutto tego regionu w tym okresie. Docelowo, plany wspólnoty zakładają, że na cele związane z podniesieniem innowacyjności wydatki wzrosną do 3% produktu brutto w 2010 r., jak podaje Eurostat.

W raporcie nt. nauki, technologii i innowacyjności w Europie, stwierdzono, że wydatki w 2007 r. były na podobnym poziomie co rok wcześniej. Niemcy przeznaczyły na ten cel 62 mld euro, Francja 39 mld euro natomiast Wielka Brytania 39 mld euro. Kraje te reprezentują 60% całkowitych wydatków Europy na ten cel w 2007 r.

Jedynie dwa kraje przeznaczyły wtedy ponad 3% swojego produktu brutto na R&D, są to Szwecja i Finlandia (odpowiednio 3,6 i 3,47%). Dania, Niemcy, Francja i Austria przekazały na ten cel powyżej 2%. Według raportu, kraje, które w największym stopniu zwiększyły wydatki w tym zakresie to Austria, z 2,07% w 2001 r. do 2,56% w 2007, Estonia (z 0,71 do 1,14%) oraz Portugalia (z 0,8 do 1,18%).

Łączna liczba osób zajmujących się w pełnym etacie zadaniami z zakresu badań i rozwoju wyniosła w 2007 r. 2,3 mln, co stanowiło 1,6% całkowitego zatrudnienia. Pracownicy naukowi stanowili 0,9% całkowitego zatrudnienia, jednak odsetek ten był zmienny zależnie od rozpatrywanego kraju, od 0,3% w Rumunii do 2,1% w Finlandii.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 25 maja 2017 17:52

Samsung Electronics Co. updated its foundry technology roadmap, including detailing its second-generation FD-SOI platform, several bulk silicon FinFET processes down to 5nm and a 4nm “post FinFET” structure process set to be in risk production in 2020. Samsung, which formally broke its foundry operation into a separate business unit called Samsung Foundry last week, also reiterated previously announced plans to put extreme ultraviolet lithography into production in 2018 at the 7nm node.

więcej na: www.eetimes.com

Produkty