wersja mobilna
Online: 827 Czwartek, 2017.03.30

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

World News 24h

czwartek, 30 marca 2017 10:06

Intel Corporation announced the appointment of Aicha S. Evans as chief strategy officer, effective immediately. She will be responsible for driving Intel’s long-term strategy to transform from a PC-centric company to a data-centric company, as well as leading rapid decision making and company-wide execution of the strategy. “Aicha is an industry visionary who will help our senior management team and the board of directors focus on what’s next for Intel,” Intel CEO Brian Krzanich said.

więcej na: newsroom.intel.com