wersja mobilna
Online: 1594 Wtorek, 2017.04.25

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

wtorek, 25 kwietnia 2017 11:57

Analog Devices announced two high frequency, low noise MEMS accelerometers designed specifically for industrial condition monitoring applications. The ADXL1001 and ADXL1002 MEMS accelerometers deliver the high resolution vibration measurements necessary for early detection of bearing faults and other common causes of machine failure. Historically, inadequate noise performance of available high frequency MEMS accelerometers compared with legacy technology held back adoption, failing to take advantage of MEMS reliability, quality and repeatability.

więcej na: www.analog.com