wersja mobilna
Online: 591 Środa, 2017.01.18

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

World News 24h

środa, 18 stycznia 2017 08:11

Mentor Graphics Corporation announced that company chairman and CEO Dr. Walden C. Rhines has been named a Fellow of the Institute of Electrical and Electronics Engineers. Dr. Rhines is being recognized for leadership and technology innovation in integrated circuit design and automation. The IEEE Grade of Fellow is conferred by the IEEE Board of Directors upon a person with an outstanding record of accomplishments in any of the IEEE fields of interest.

więcej na: www.mentor.com

Produkty