wersja mobilna
Online: 1405 Wtorek, 2017.07.25

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

World News 24h

wtorek, 25 lipca 2017 17:52

With first-tier vendors including Samsung Electronics, Apple and LG Electronics expected to unveil new smartphones in the second half of 2017, upstream component shortages are expected to worsen and could impact PC shipments during the period, according to sources from the upstream supply chain. Because of the shortages, suppliers of components such as memory and panels are expected to enjoy better revenue performance than downstream vendors in the second half.

więcej na: www.digitimes.com