wersja mobilna
Online: 493 Piątek, 2017.06.23

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 22 czerwca 2017 19:57

It might sound discouraging, but here it goes - according to analyst Timothy Arcuri of Cowen and Company, Apple still hasn't decided what fingerprint technology will utlimately end up in the new and coming iPhone. Mind you, we're less than three months away from this year's September keynote. If the rumor is true, this means the handset is anything but finalized. Thus, its retail launch could face a significant delay of as many as two months following the announcement. Confident in his information, Arcuri has taken the new iPhone out of Cowen's 46 million sales forecast for the third quarter of 2017.

więcej na: www.phonearena.com