wersja mobilna
Online: 1178 Czwartek, 2017.05.25

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

środa, 24 maja 2017 20:02

Samsung Electronics is preparing to supply new portable solid state drive T5 running on the company’s fourth-generation 64-layer V NAND flash memory chip early next week, according to sources. The portable SSD is a compact storage device suitable for individual users. Samsung introduced a 2-terabyte portable SSD T3 based on its 48-layer V NAND last year. The size of T3 is about two thirds of a business card. It weighs about 50 grams. The device can store up to 400 full-HD movies. According to electronics parts makers, the upcoming SSD T5 is expected to be smaller and lighter than its predecessor.

więcej na: www.koreaherald.com