wersja mobilna
Online: 701 Wtorek, 2017.08.22

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

World News 24h

wtorek, 22 sierpnia 2017 10:04

TowerJazz and Tacoma Technology Ltd and Tacoma Semiconductor Technology Co., Ltd announced that Tower has received a first payment of $18 million net, rendering phase one of the framework agreement with Tacoma binding. According to the terms of the framework agreement, TowerJazz will provide technological expertise together with operational and integration consultation, for which the Company shall receive additional payments based on milestones during the next few years, subject to a definitive agreement specifying all terms and conditions.

więcej na: www.towerjazz.com