Tranzystor MOSFET w obudowach WideLead o zredukowanej rezystancji wyprowadzeń
Opracowane przez firmę International Rectifier zmodyfikowane obudowy TO-262 WideLead pozwalają dwukrotnie zmniejszyć rezystancję wyprowadzeń w stosunku do wersji standardowych, ograniczając tym samym straty konduktancyjne i zmniejszając wydzielanie ciepła w tranzystorach wysokoprądowych.
Podczas, gdy w standardowej obudowie TO-262 rezystancja wyprowadzeń wynosi około 1mΩ, w przypadku obudowy WideLead jest ograniczana o ponad połowę. Dla tranzystorów o bardzo małej rezystancji RDS(on) na poziomie pojedynczych miliomów wpływa to istotnie na ogólną sprawność energetyczną.
Nowe obudowy WideLead opracowano przede wszystkim z myślą o tranzystorach MOSFET produkowanych do zastosowań w elektronice samochodowej. Obecnie dostępne są już dwa pierwsze modele: 24-woltowy AUIRF1324WL i 40-woltowy AUIRF3004WL o dopuszczalnym prądzie drenu 240A i maksymalnej rezystancji RDS(on) wynoszącej odpowiednio 1,3mΩ i 1,4mΩ.
| Oznaczenie | Obudowa | V(BR)DSS | RDS(ON) maks. @ VGS=10V |
ID maks. @ TC=25°C |
QG typ. @ VGS=10V |
| AUIRF1324WL | TO-262WL | 24V | 1,3mΩ | 240A | 120nC |
| AUIRF3004WL | TO-262WL | 40V |
1,4mΩ | 240A | 160nC |
Ceny hurtowe zaczynają się odpowiednio od 1,35 USD i 1,58 USD przy zamówieniach 100 tys. sztuk.
