wersja mobilna
Online: 725 Sobota, 2016.12.03
W katalogu znajduje się: 1254 firm i 7704 produktów
Tranzystory MOSFET w obudowach UDFN6 o powierzchni 2 x 2 mm

Tranzystory MOSFET w obudowach UDFN6 o powierzchni 2 x 2 mm

Złóż ofertę

Toshiba wprowadza na rynek tranzystory MOSFET kilku dotychczasowych serii zamykane w nowym typie obudowy UDFN6 (LGA) o powierzchni 2 x 2 mm. W nowej obudowie są zamykane tranzystory pojedyncze i podwójne p-kanałowe (ozn. odpowiednio SSM6JxxxNU i SSM6PxxNU) oraz pojedyncze i podwójne n-kanałowe (ozn. SSM6KxxxNU i SSM6NxxNU).

Wszystkie cechują się małą rezystancją kanału i maksymalną mocą rozpraszaną do 1 W. Są polecane do zastosowań przede wszystkim jako przełączniki zasilania oraz w układach zabezpieczenia akumulatora. Maksymalny prąd drenu wynosi 12 A dla wersji jednokanałowych i 4 A dla dwukanałowych.

Nowa oferta obejmuje tranzystory p-kanałowe o rezystancji RDS(on) z zakresu od 12 do 95 mΩ (dla VGS=4,5V) i pojemności wejściowej od 290 do 2700 pF oraz tranzystory n-kanałowe o rezystancji RDS(on) z zakresu od 26 do 64 mΩ (dla VGS=4,5V) i pojemności wejściowej od 270 do 620 pF. Maksymalne napięcie drenu dla wersji p- i n-kanałowych wynosi odpowiednio 20 i 30 V.

Poza wspomnianymi seriami w obudowach UDFN6 produkowane są też tranzystory w wersjach specjalnych, m.in. ze zintegrowaną diodą Schottky’ego oraz ze zintegrowanym tranzystorem bipolarnym. Na uwagę zasługuje najnowszy p-kanałowy tranzystor SSM6J505NU wykonany w technologii UMOS-VI, którego rezystancja kanału nie przekracza 61 mΩ przy napięciu VGS wynoszącym zaledwie 1,2V.

Więcej na www.toshiba-components.com

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700
Tranzystory MOSFET NP110N04PUJ i NP110N055PUJ
Generator częstotliwości PL611S-18
16-bitowy mikrokontroler MAXQ610
Mikrokontrolery serii V850ES_JJ3-E i V850ES_JH3-E
Mikrofalowe wzmacniacze mocy MGA-xxxx40-02
Moduły radiowe ZigBee PAN4561 i PAN4566
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Procesor pasma podstawowego WiMAX MB86K23
Bufory PECL rodziny SN65
Filtry EMC z serii B84771A, B84771C oraz B84771M
Wzmacniacze różnicowe TSH45xx
Miniaturowe przełączniki SP3T ISL54214 i ISL54217
Wzmacniacz różnicowy AS1713
Interfejs smart-card DS8023
Komparatory serii MCP656x
Mikrokontrolery ATtiny10
Niskonapięciowe oscylatory serii F200
Termistory PTC B59050D1100B040
Dioda RGB LCD EHP-B02
Wysokotemperaturowe rezystory current-sense 14AFR
Mikrokontrolery nanoWatt PIC24F16KA