Półmostkowy moduł MOSFET o parametrach znamionowych 1200 V/300 A
CAS300M12BM2 to półmostkowy 1200-woltowy moduł MOSFET, zrealizowany w technologii SiC, zamykany w standardowej przemysłowej obudowie 62-milimetrowej kompatybilnej z podobnymi modułami IGBT. Najważniejszą zaletą tego układu są bardzo małe straty mocy przy pracy impulsowej, nawet 5-krotnie mniejsze od ekwiwalentnych obwodów z elementami dyskretnymi, co pozwala na tworzenie mniejszych i lżejszych systemów zasilania. Rezystancja RDS(on) wynosi tu zaledwie 5 mΩ.
Układ znajduje zastosowanie w piecach indukcyjnych, układach napędowych, falownikach, zasilaczach impulsowych i UPS oraz w sieciach trakcyjnych. Może pracować z maksymalnym prądem ciągłym wynoszącym od ok. 200 A przy maksymalnej dopuszczalnej temperaturze złącza do 400 A przy idealnym chłodzeniu. Dopuszczalny prąd w impulsie (200 µs) może osiągnąć 1500 A.
Cena hurtowa CAS300M12BM2 wynosi 451 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
