wersja mobilna
Online: 583 Wtorek, 2016.12.06
W katalogu znajduje się: 1254 firm i 7719 produktów
Energooszczędne pamięci SRAM 8 Mb o dużej odporności na błędy miękkie

Energooszczędne pamięci SRAM 8 Mb o dużej odporności na błędy miękkie

Złóż ofertę

Firma Renesas wprowadziła do oferty dwie nowe, zaawansowane pamięci SRAM oznaczone symbolami RMLV0816B i RMLV0808B, produkowane w procesie 110 nm. Są to pamięci energooszczędne (Advanced LP SRAM) o pojemności 8 Mb, charakteryzujące się brakiem tzw. błędów miękkich i efektu latch-up. Tego typu pamięci o pojemności 4 Mb pojawiły się w ofercie Renesas już w grudniu 2013, natomiast teraz firma kieruje do sprzedaży nowe wykonania o pojemności 8 Mb, produkowane w technologii 110 nm (poprzednio 150 nm).

Oprócz wspomnianych już zalet pamięci RMLV0816B i RMLV0808B, kolejną jest energooszczędna praca. Pobór prądu w stanie standby nie przekracza tu 2 µA @ +25°C, co pozwala na zastosowania w urządzeniach z podtrzymaniem bateryjnym. Energooszczędne pamięci SRAM z oferty Renesas znajdują zastosowanie w przemyśle, motoryzacji i komunikacji oraz w urządzeniach biurowych i konsumenckich.

Wraz ze zwiększaniem funkcjonalności i poprawianiem parametrów elektrycznych systemów mikroprocesorowych, ważne jest również zwiększanie ich niezawodności. Ważna rola przypada tu pamięciom SRAM, w których przechowywane są krytyczne dane i oprogramowanie systemowe. W szczególności, istotnym parametrem jest tu odporność pamięci na promieniowanie alfa i neutrony pochodzące od promieniowania kosmicznego, powodujące pojawianie się tzw. błędów miękkich.

Dodanie przez firmę Renesas dodatkowego kondensatora do komórki pamięci Advanced LP SRAM pozwoliło w ogromnym stopniu zwiększyć ich odporność na pojawianie się błędów miękkich. Typowo błędy te są korygowane przez algorytmy ECC zaimplementowane w samej pamięci SRAM lub w systemie, jednak technika ta staje się nieskuteczna przy pojawianiu się błędów równocześnie w wielu komórkach.

Dlatego też najlepszym rozwiązaniem problemów z błędami miękkimi jest zamiast korygowania wyeliminowanie ich występowania już na poziomie struktury półprzewodnikowej. W nowych pamięciach Advanced LP SRAM produkowanych w procesie 150 nm błędy miękkie praktycznie nie występują. Dodatkowymi zaletami tych układów są brak efektu latch-up wynikający ze zmodyfikowanej struktury komórki oraz mała powierzchnia matrycy, wynikająca z zastosowania struktury piętrowej (stacked transistor technology).

Przykładowo, rozmiary komórek pamięci Advanced LP SRAM produkowanych przez Renesas w procesie 110 nm są porównywalne z rozmiarami komórek pamięci SRAM typu CMOS produkowanych w procesie 65 nm. Renesas planuje dołączenie do oferty pamięci SRAM o pojemności 16 Mb, również produkowanych w technologii 110 nm.

Więcej na www.renesas.eu

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700
Tranzystory MOSFET NP110N04PUJ i NP110N055PUJ
Generator częstotliwości PL611S-18
16-bitowy mikrokontroler MAXQ610
Mikrokontrolery serii V850ES_JJ3-E i V850ES_JH3-E
Mikrofalowe wzmacniacze mocy MGA-xxxx40-02
Moduły radiowe ZigBee PAN4561 i PAN4566
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Procesor pasma podstawowego WiMAX MB86K23
Bufory PECL rodziny SN65
Filtry EMC z serii B84771A, B84771C oraz B84771M
Wzmacniacze różnicowe TSH45xx
Miniaturowe przełączniki SP3T ISL54214 i ISL54217
Wzmacniacz różnicowy AS1713
Interfejs smart-card DS8023
Komparatory serii MCP656x
Mikrokontrolery ATtiny10
Niskonapięciowe oscylatory serii F200
Termistory PTC B59050D1100B040
Dioda RGB LCD EHP-B02
Wysokotemperaturowe rezystory current-sense 14AFR
Mikrokontrolery nanoWatt PIC24F16KA