wersja mobilna
Online: 433 Poniedziałek, 2016.12.05
W katalogu znajduje się: 1254 firm i 7719 produktów
MOSFET-y 80 i 100 V o rezystancji R<sub>DS(on)</sub> od 1 mW

MOSFET-y 80 i 100 V o rezystancji RDS(on) od 1 mW

Złóż ofertę

Infineon dodaje do oferty tranzystorów MOSFET OptiMOS 5 dwie nowe serie tranzystorów produkowanych na napięcia znamionowe 80 i 100 V. Zostały one opracowane z myślą o zastosowaniach w układach zasilania systemów serwerowych i telekomunikacyjnych oraz w przemyśle (instalacje solarne, napędy niskonapięciowe, adaptery konwersji mocy). Zapewniają najniższą obecnie rezystancję RDS(on) dla tego typu elementów; jest ona mniejsza dla tranzystorów 80 i 100 V odpowiednio o 45% i 24% od wersji 100-woltowych wcześniejszej generacji.

Oznacza to mniejszą liczbę tranzystorów łączonych równolegle, a więc niższy koszt i mniejsze rozmiary obwodu. Ponadto, tranzystory z nowej oferty charakteryzują się mniejszym o 38% ładunkiem bramki dla wersji 80- oraz o 25% dla 100-woltowych. To z kolei oznacza mniejsze straty mocy i mniejsze oscylacje przy pracy impulsowej. Dostępne są warianty produkowane w 7 wariantach obudów: SuperSO8, S308, TO-Leadless, TO-220, TO-220 FullPAK, D²PAK i D²PAK-7. Ich rezystancje RDS(on) wynoszą od 1 do 12 mΩ. Producent oferuje obecnie wersje próbne wszystkich modeli.

Ważniejsze parametry n-kanałowego modelu BSC035N10NS5:

  • napięcie przebicia: 100 V;
  • prąd drenu (ciągły): maks. 100 A;
  • prąd drenu (w impulsie): maks. 400 A;
  • energia przebicia lawinowego (EAS): maks. 300 mJ;
  • QDSS: 91 nC; QG (0...10 V): 70 nC;
  • VGS: ±20 V;
  • czas narastania/opadania zbocza: 14/16 ns;
  • temperatura pracy złącza: -55...+150°C;
  • obudowa: SuperSO8 (6,2 x 5,3 x 1,0 mm).
Więcej na www.infineon.com

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700
Tranzystory MOSFET NP110N04PUJ i NP110N055PUJ
Generator częstotliwości PL611S-18
16-bitowy mikrokontroler MAXQ610
Mikrokontrolery serii V850ES_JJ3-E i V850ES_JH3-E
Mikrofalowe wzmacniacze mocy MGA-xxxx40-02
Moduły radiowe ZigBee PAN4561 i PAN4566
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Procesor pasma podstawowego WiMAX MB86K23
Bufory PECL rodziny SN65
Filtry EMC z serii B84771A, B84771C oraz B84771M
Wzmacniacze różnicowe TSH45xx
Miniaturowe przełączniki SP3T ISL54214 i ISL54217
Wzmacniacz różnicowy AS1713
Interfejs smart-card DS8023
Komparatory serii MCP656x
Mikrokontrolery ATtiny10
Niskonapięciowe oscylatory serii F200
Termistory PTC B59050D1100B040
Dioda RGB LCD EHP-B02
Wysokotemperaturowe rezystory current-sense 14AFR
Mikrokontrolery nanoWatt PIC24F16KA