Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz

Firma M/A-COM Technology dodaje do oferty kolejny tranzystor SiC HEMT do impulsowych aplikacji lotniczych na pasmo L, charakteryzujący się mocą znamionową 650 W. Jest on produkowany w dwóch typach obudów SMD: standardowej 34 x 19,4 x 3,7 mm z kołnierzem zawierającym specjalne \"uszy\" do montażu śrub (MAGX-000912-650L00) oraz małogabarytowej (MAGX-000912-650L0S) o wymiarach 20,6 x 19,4 x 3,7 mm.

Oba wykonania są przeznaczone do pracy w zakresie częstotliwości 960...1215 MHz. Charakteryzują się bardzo długim czasem bezawaryjnej pracy (MTTF na poziomie 600 lat). Zawierają wewnętrzne obwody dopasowujące. Są w stanie oddać do obciążenia maksymalną moc szczytową 650 W przy wzmocnieniu 20 dB i sprawności 63% (cykl pracy 10%, impuls 128 ms).

Struktura półprzewodnikowa MAGX-000912-650L0x została zaprojektowana pod kątem zapewnienia dużego napięcia przebicia (BVdss). Umożliwia bezpieczną i stabilną pracę przy napięciu polaryzacji 50 V i w warunkach ekstremalnego niedopasowania wyjścia.