Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas
GLYN Jones GmbH & Co KG oddział w Polsce
Firma Renesas Electronics, wiodący dostawca rozwiązań półprzewodnikowych, zaprezentował dwie nowe serie energooszczędnych pamięci Advanced Low Power SRAM. RMLV1616A (16Mb) oraz RMWV3216A (32Mb) zostały zaprojektowanie pod kątem zwiększenia niezawodności i wydłużenia czasu pracy na zasilaniu bateryjnym. Wszystko dzięki innowacyjnej technologii komórek pamięci wykonanych w procesie 110nm.
Dzięki autorskiej technologii firmie
Renesas udało się poprawić odporność na błędy (soft errors) ponad 500-krotnie w stosunku do konwencjonalnych
komórek pamięci Full CMOS. Sprawia to, że mogą one być stosowane w przemysłowych
aplikacjach wymagających wysokiej niezawodności, takich jak automatyzacja
procesów, przyrządy pomiarowe, Smart Grid
itp. itd. Pobór prądu w trybie gotowości (Standby
Current) udało się zredukować do poziomu 0.5 µA (typowo) dla pojemności
16Mb oraz 1µA (typowo) dla pojemności 32Mb. Jest to mniej niż połowa w
odniesieniu do wcześniejszych generacji pamięci SRAM firmy Renesas, co czyni je również
idealnymi w zastosowaniu w aplikacjach zasilanych bateryjnie. Minimalne
napięcie zasilania to tylko 1.5 V. RMLV1616A (16Mb) dostępne są w trzech typach
obudów - 48-ball FBGA, 48-pin TSOP (I), oraz 52-pin µTSOP (II). RMWV3216A (32Mb)
dostępne są w obudowie 48-ball FBGA. Wiecej informacji - sales@glyn.pl