Tranzystory IGBT m.cz. o niskim napięciu nasycenia

Do oferty firmy STMicroelelctronics dodano serię 1200-woltowych tranzystorów IGBT na zakres m.cz. wyróżniających się bardzo małym napięciem nasycenia wynoszącym 1,75...1,9 V. Tranzystory S-series zapewniają małe straty na przewodzenie i przełączanie w zakresie częstotliwości pracy do 8 kHz, pozwalając uzyskać dużą sprawność zasilaczy UPS, spawarek, układów napędowych itp. Oprócz niskiego napięcia V_CE(sat) zapewniają też jego dodatni współczynnik temperaturowy i mały rozrzut parametrów pomiędzy poszczególnymi egzemplarzami w ramach tej samej serii, co ułatwia łączenie równoległe tranzystorów w układach dużej mocy.

Kolejną zaletą są bardzo małe oscylacje przy wyłączaniu, pozwalające uprościć zewnętrzne obwody współpracujące. Nowa oferta obejmuje 6 typów tranzystorów o dopuszczalnym prądzie przewodzenia wynoszącym 15, 25 i 40 A, produkowanych w obudowach TO-247. Wszystkie charakteryzują się rozszerzoną do +175°C dopuszczalną temperaturą złącza, wytrzymałością na zwarcie do co najmniej 10 ms @ +150°C i szerokim obszarem bezpiecznej pracy (SOA). Ich ceny hurtowe zaczynają się od 2,80 USD przy zamówieniach 1000 sztuk (15-amperowy STGW15S120DF3).