wersja mobilna
Online: 766 Wtorek, 2016.12.06
W katalogu znajduje się: 1254 firm i 7719 produktów
Energooszczędne pamięci SRAM 16 i 32 Mb o zwiększonej odporności na błędy logiczne

Energooszczędne pamięci SRAM 16 i 32 Mb o zwiększonej odporności na błędy logiczne

Złóż ofertę

Zapobieganie pojawianiu się błędów logicznych (soft errors) w pamięciach SRAM powodowanych przez promieniowanie alfa i neutrony promieniowania kosmicznego jest realizowane zwykle przez zastosowanie układu korekcji ECC. Technika ta ma jednak swoje ograniczenia. Na przykład może nie zadziałać w przypadku równoczesnego wystąpieniu błędów na kilku bitach. W opracowanych przez firmę Renesas pamięciach Advanced LP SRAM zmodyfikowano konstrukcję komórki, zapewniając m.in. jej dwukrotnie mniejsze rozmiary w porównaniu z pamięciami opartymi na konwencjonalnych 6-tranzystorowych komórkach CMOS.

Nowe pamięci mają też 500-krotnie większą odporność na błędy logiczne, wyeliminowano w nich również zjawiska zatrzaskiwania (latch-up) i zmniejszono pobór mocy. Cechy te osiągnięto dzięki dodaniu fizycznego kondensatora do każdego z węzłów komórki pamięci oraz wykonaniu tranzystorów p-MOS na tranzystorach n-MOS (bez kontaktu z podłożem), co zapobiega powstawaniu tyrystorów pasożytniczych i teoretycznie eliminuje możliwość "zatrzaśnięcia" komórki.

Do oferty tych pamięci weszły w ostatnim czasie dwa nowe układy: RMLV1616A o pojemności 16 Mb i RMWV3216A o pojemności 32 Mb. Są to pamięci energooszczędne, zaprojektowane z myślą o zwiększeniu niezawodności aplikacji przemysłowych i wydłużeniu ich czasu pracy na baterii podtrzymującej. Zostały wykonane w procesie technologicznym 110 nm. Pobierają odpowiednio 0,5 µA i 1 µA prądu ze źródła zasilającego (przy 3,0 V i +25°C), co stanowi mniej niż połowę prądu pobieranego przez wcześniejsze serie pamięci SRAM firmy Renesas produkowane w technologii 150 nm. Co więcej, w stanie statycznym mogą być zasilane niższym napięciem (1,5 V vs. 2,0 V). Wersja 16-megabitowa jest produkowana w trzech typach obudów: FBGA-48, TSOP-48 i μTSOP-52. Wersja 32-megabitowa jest produkowana w obudowie FBGA-48. Rozpoczęcie produkcji masowej tych układów przewidziano na październik 2015. Renesas rozpoczął już wcześniej produkcję masową 110-nanometrowych pamięci Advanced LP SRAM o pojemnościach 4 i 8 Mb.

Więcej na www.renesas.eu

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700
Tranzystory MOSFET NP110N04PUJ i NP110N055PUJ
Generator częstotliwości PL611S-18
16-bitowy mikrokontroler MAXQ610
Mikrokontrolery serii V850ES_JJ3-E i V850ES_JH3-E
Mikrofalowe wzmacniacze mocy MGA-xxxx40-02
Moduły radiowe ZigBee PAN4561 i PAN4566
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Procesor pasma podstawowego WiMAX MB86K23
Bufory PECL rodziny SN65
Filtry EMC z serii B84771A, B84771C oraz B84771M
Wzmacniacze różnicowe TSH45xx
Miniaturowe przełączniki SP3T ISL54214 i ISL54217
Wzmacniacz różnicowy AS1713
Interfejs smart-card DS8023
Komparatory serii MCP656x
Mikrokontrolery ATtiny10
Niskonapięciowe oscylatory serii F200
Termistory PTC B59050D1100B040
Dioda RGB LCD EHP-B02
Wysokotemperaturowe rezystory current-sense 14AFR
Mikrokontrolery nanoWatt PIC24F16KA