wersja mobilna
Online: 593 Czwartek, 2016.12.08
W katalogu znajduje się: 1254 firm i 7722 produktów
Pierwsza na rynku pamięć LPDDR4 DRAM o pojemności 12 Gb

Pierwsza na rynku pamięć LPDDR4 DRAM o pojemności 12 Gb

Złóż ofertę

Firma Samsung rozpoczyna masową produkcję pierwszej na rynku pamięci DRAM LPDDR4 (low power, double data rate 4) o pojemności 12 Gb. Jest to układ adresowany do urządzeń mobilnych, produkowany w technologii 20 nm. Zapewnia największą pojemność i największą szybkość transmisji spośród wszystkich pamięci DRAM dostępnych obecnie w sprzedaży, a równocześnie charakteryzuje się energooszczędną pracą i dużą niezawodnością, czyli cechami niezbędnymi do produkcji urządzeń mobilnych nowej generacji.

W porównaniu z wcześniejszą pamięcią LPDDR4 o pojemności 8 Gb, również produkowaną w technologii 20 nm, nowy układ jest o ponad 30% szybszy, zapewniają prędkość transferu danych wynoszącą 4266 Mbps. Jest też dwukrotnie szybszy od pamięci DDR4 DRAM produkowanych do komputerów PC (2133 Mbps), równocześnie zapewniając mniejszy od nich o 20% pobór mocy.

Chipy LPDDR4 o pojemności 12 Gb umożliwiają produkcję urządzeń mobilnych zawierających 3 lub 6 GB pamięci DRAM przy wykorzystaniu odpowiednio 2 lub 4 chipów. Pojemność 6 GB zapewni w nowej generacji flagowych urządzeń mobilnych pełną wielozadaniowość i możliwość korzystania z najnowszych systemów operacyjnych.

Więcej na www.samsung.com

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700
Tranzystory MOSFET NP110N04PUJ i NP110N055PUJ
Generator częstotliwości PL611S-18
16-bitowy mikrokontroler MAXQ610
Mikrokontrolery serii V850ES_JJ3-E i V850ES_JH3-E
Mikrofalowe wzmacniacze mocy MGA-xxxx40-02
Moduły radiowe ZigBee PAN4561 i PAN4566
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Procesor pasma podstawowego WiMAX MB86K23
Bufory PECL rodziny SN65
Filtry EMC z serii B84771A, B84771C oraz B84771M
Wzmacniacze różnicowe TSH45xx
Miniaturowe przełączniki SP3T ISL54214 i ISL54217
Wzmacniacz różnicowy AS1713
Interfejs smart-card DS8023
Komparatory serii MCP656x
Mikrokontrolery ATtiny10
Niskonapięciowe oscylatory serii F200
Termistory PTC B59050D1100B040
Dioda RGB LCD EHP-B02
Wysokotemperaturowe rezystory current-sense 14AFR
Mikrokontrolery nanoWatt PIC24F16KA