wersja mobilna
Online: 531 Piątek, 2016.12.09
W katalogu znajduje się: 1254 firm i 7729 produktów
Najszybsza na rynku pamięć DRAM 4 GB o przepustowości 256 GBps

Najszybsza na rynku pamięć DRAM 4 GB o przepustowości 256 GBps

Złóż ofertę

Samsung rozpoczyna masową produkcję najszybszej obecnie na rynku pamięci DRAM o pojemności 4 GB, bazującej na interfejsie HBM drugiej generacji (HBM2). Układ zapewnia 7-krotnie większą przepustowość danych w porównaniu z najszybszymi dotąd pamięciami DRAM, wynoszącą 256 GBps. Nowa pamięć została zaprojektowana z myślą o zastosowaniach w systemach komputerowych HPC nowej generacji, na kartach graficznych, w infrastrukturze sieciowej i serwerach korporacyjnych.

Wykonano ją w procesie technologicznym 20 nm w układzie przestrzennym z czterema strukturami HBM2 o pojemności po 8 Gb ułożonymi warstwowo na dolnej strukturze bufora.

Całość jest połączona elektrycznie za pomocą przelotek TCV i mikro-wyprowadzeń sferycznych, podobnych jak w układach BGA. Pojedyncza 8-gigabitowa struktura HBM2 zawiera około 5000 przelotek TSV, a więc ponad 36-krotnie więcej niż w przypadku struktury 8 Gb TSV DDR4 wcześniejszej generacji, co świadczy o dużym skoku jakościowym w szybkości transmisji danych w porównaniu z wcześniejszymi strukturami łączonymi w technologii wire-bond.

Nowe pamięci DRAM zapewniają przepustowość 256 GBps, dwukrotnie większą od wcześniejszych pamięci HBM1 DRAM i ponad 7-krotnie większą od 4-gigabitowych pamięci GDDR5 DRAM. Ich kolejne zalety to dwukrotnie większy współczynnik przepustowości do poboru mocy w stosunku do 4-gigabitowych pamięci GDDR5 oraz wbudowana funkcja korekcji ECC.

Jeszcze w tym roku firma Samsung planuje wyprodukować pamięć HBM2 DRAM o pojemności 8 GB. Jej zastosowanie na kartach graficznych pozwoli zaoszczędzić ponad 95% powierzchni w porównaniu z pamięciami GDDR5 DRAM. Z tego względu pamięci HGM2 idealnie nadają się do zastosowań w układach graficznych urządzeń o największej gęstości upakowania podzespołów.

Więcej na www.samsung.com

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700
Tranzystory MOSFET NP110N04PUJ i NP110N055PUJ
Generator częstotliwości PL611S-18
16-bitowy mikrokontroler MAXQ610
Mikrokontrolery serii V850ES_JJ3-E i V850ES_JH3-E
Mikrofalowe wzmacniacze mocy MGA-xxxx40-02
Moduły radiowe ZigBee PAN4561 i PAN4566
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Procesor pasma podstawowego WiMAX MB86K23
Bufory PECL rodziny SN65
Filtry EMC z serii B84771A, B84771C oraz B84771M
Wzmacniacze różnicowe TSH45xx
Miniaturowe przełączniki SP3T ISL54214 i ISL54217
Wzmacniacz różnicowy AS1713
Interfejs smart-card DS8023
Komparatory serii MCP656x
Mikrokontrolery ATtiny10
Niskonapięciowe oscylatory serii F200
Termistory PTC B59050D1100B040
Dioda RGB LCD EHP-B02
Wysokotemperaturowe rezystory current-sense 14AFR
Mikrokontrolery nanoWatt PIC24F16KA