1-watowe przetwornice DC-DC do sterowania bramek tranzystorów IGBT i MOSFET SiC

Do oferty firmy Murata Power Solutions wchodzi nowa seria specjalizowanych przetwornic DC-DC MGJ1 zaprojektowanych specjalnie do układów sterowania bramkami tranzystorów IGBT i MOSFET SiC w topologii high-side i low-side. Pozwalają one na zapewnienie optymalnej sprawności tranzystora.

Występują w wersjach o nominalnych napięciach wyjściowych +15/-5, +15/-9 i +19/-5 V_DC oraz o napięciach wejściowych +5, +12 i +24 V_DC. Jedną z cech charakterystycznych przetwornic MGJ1 jest odporność na impulsy przepięciowe o dużym współczynniku dV/dt, zapewniająca niezawodną i ciągłą pracę w szybkich układach impulsowych.

Mała pojemność między wejściem i wyjściem (typ. 5 pF) pomaga zredukować poziom wytwarzanych zaburzeń EMI. Przetwornice MGJ1 mogą pracować w zakresie temperatur otoczenia do +105°C.

Zawierają zabezpieczenie zwarciowe i termiczne. Zapewniają izolację do 5,2 kV_DC między wejściem i wyjściem oraz drogę upływu i odstęp izolacyjny wynoszące 9,3 mm.