Małogabarytowe tranzystory MOSFET 60 i 100 V do elektroniki samochodowej
Toshiba wprowadza do oferty dwa małogabarytowe tranzystory MOSFET przeznaczone do zastosowań w elektronice samochodowej. SSM3K341R i SSM3K361R to tranzystory n-kanałowe charakteryzujące się napięciem znamionowym wynoszącym odpowiednio 60 i 100 V oraz małą rezystancją RDS(on). Uzyskały kwalifikację AEC-Q101.
Typowo RDS(on) przy napięciu sterowania bramki równym 4,5 V wynosi odpowiednio 36 mΩ i 65 mΩ. Dla obu modeli maksymalna dopuszczalna temperatura pracy złącza wynosi +175°C.
W porównaniu z poprzednimi tranzystorami MOSFET z oferty Toshiba (np. SSM3K318R), SSM3K341R i SSM3K361R zapewniają mniejsze o około 65% straty mocy na przewodzenie.
Dodatkowo, są zamykane w małogabarytowych obudowach SOT-23F (2,9 x 2,4 x 0,8 mm) o powierzchni montażowej mniejszej o około 64% od standardu SOT-89.
| SSM3K341R | SSM3K361R | |
| VDSS | 60 V | 100 V |
| VGSS | ±20 V | ±20 V |
| Ciss (typ.) | 550 pF | 430 pF |
| Qg (typ.) | 9,3 nC | 3,2 nC |
| RDS(on) @ VGS=4,5 V (maks.) | 51 mΩ | 92 mΩ |
| ID | 6 A | 3,5 A |
