Dwuwyjściowe przetwornice DC-DC do sterowania bramek tranzystorów IGBT, MOSFET i MOSFET SiC

Do oferty firmy Murata Power Solutions wprowadzona została seria dwuwyjściowych, izolowanych przetwornic impulsowych MGJ6 zaprojektowanych do sterowania bramek tranzystorów IGBT, MOSFET i MOSFET SiC pracujących w układzie high-side i low-side.

Występują one w wersjach o znamionowym napięciu wejściowym 5, 12 i 24 V_DC oraz o napięciach wyjściowych +15/-5 V, +15/-10 V i +20/-5 V_DC. Dostarczają do obciążenia maksymalną moc 6 W. Są produkowane w obudowach SIP, DIP i niskoprofilowych do montażu powierzchniowego.

Dzięki niesymetrycznym napięciom wyjściowym, przetwornice MGJ6 zapewniają optymalne napięcia sterowania pozwalające uzyskać dużą sprawność i mały poziom generowanych zaburzeń EMI. Charakteryzują się dużym napięciem izolacji (3000 V przy pracy ciągłej) i odpornością na impulsy wejściowe o szybkości narastania napięcia do co najmniej 80 kV/µs przy różnicy potencjałów 1,6 kV.

Cechy te są niezbędne w przypadku zastosowań w układach mostkowych stosowanych w układach napędowych i falownikach. Bardzo mała pojemność bariery izolacyjnej (15 pF) utrudnia przenoszenie przez nią zaburzeń EMI. Wyprowadzenie Disable/synchronizacyjne ułatwia projektowanie filtrów EMC. Do standardowego wyposażenia należy zabezpieczenie zwarciowe i przeciążeniowe.