n-kanałowe MOSFETy o rekordowo niskiej rezystancji RDS(on)
Do oferty firmy Toshiba wchodzą dwa n-kanałowe tranzystory MOSFET przeznaczone do zastosowań jako przełączniki zasilania w urządzeniach przenośnych. Wyróżniają się one bardzo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą typowo 6,5 mΩ dla 30-woltowego modelu SSM6K513NU i 8,9 mΩ dla 40-woltowego SSM6K514NU przy napięciu bramki 10 V.
Oba tranzystory zostały wyprodukowane w procesie technologicznym Trench U-MOS IX-H. Zapewniają dopuszczalny prąd drenu i dopuszczalną moc strat wystarczające do pracy w standardach USB Type-C i USB Power Delivery (PD).
Są zamykane w niskoprofilowych obudowach UDFN6B o wymiarach 2,0 x 2,0 x 0,75 mm. Różnice RDS(on) między nowymi i wcześniejszymi wersjami pozwalają zmniejszyć straty na przewodzenie nawet o połowę (w porównaniu z 30-woltowym SSM6K504NU z 2014 roku).
| ID | PD | VDSS | VGSS | CISS | QG | RDS(on) maks. | RDS(on) typ. | RDS(on) maks. | RDS(on) typ. | |
| VGS=4,5 V | VGS=10 V | |||||||||
| SSM6K513NU | 15 A | 1,25 W | 30 V | ±20 V | 1130 pF | 7,5 nC | 12 mΩ | 8 mΩ | 8,9 mΩ | 6,5 mΩ |
| SSM6K514NU | 12 A | 1,25 W | 40 V | ±20 V | 1110 pF | 7,5 nC | 17,3 mΩ | 11,2 mΩ | 11,6 mΩ | 8,9 mΩ |
