Diody STPSC806D i STPSC1006D

Dwie nowe diody Schottky'ego: STPSC806D i STPSC1006D oferowane przez firmę STMicroelectronics zostały wyprodukowane na podłożu z węglika krzemu (SiC). Charakteryzują się nieco mniejszymi stratami przy pracy impulsowej od tradycyjnych diod krzemowych. Są polecane do zastosowań przede wszystkim w przetwornicach paneli słonecznych oraz wszędzie tam, gdzie cenny jest nawet najmniejszy przyrost sprawności.

Przykładem mogą tu być np. zasilacze serwerów i systemów komunikacyjnych pracujące w trybie ciągłym, czy też produkowane w milionach sztuk kontrolery silników. Drugą zaletą diod produkowanych na podłożach SiC jest możliwość pracy z większą częstotliwością, co z kolei wiąże się z możliwością stosowania mniejszych i tańszych elementów reaktancyjnych.

Wszystkie wymienione powyżej zalety diod SiC wynikają z braku zjawiska regeneracji. W trakcie przewodzenia w strukturze diody krzemowej gromadzi się ładunek, który następnie musi zostać rozproszony po wyłączeniu diody. Odbywa się to na drodze rekombinacji grup nośników znajdujących się w obszarze złącza. Przepływający wówczas prąd nosi nazwę prądu regeneracji. Jest to prąd niepożądany, powoduje dodatkowe nagrzewanie się diody. Ponieważ w przypadku diod krzemowych SiC nie występuje regeneracja, nie występują też związzane z nią straty cieplne.

Tranzystory STPSC806D i STPSC1006D charakteryzują się maksymalnym prądem przewodzenia odpowiednio 8A i 10A oraz napięciem znamionowym (przebicia) równym 600V. Przy zamówieniach 10 tys. sztuk ceny hurtowe wynoszą odpowiednio 3,9 USD i 4,0 USD.