Małostratne diody Schottky’ego SiC o napięciu przebicia 1200 V i dopuszczalnym prądzie 2...40 A

Firma STMicroelectronics dodaje do oferty rodzinę małostratnych, wysokonapięciowych diod Schottky’ego produkowanych na podłożach z węglika krzemu (SiC), charakteryzujących się małymi stratami przy przełączaniu, niskim napięciem przewodzenia wynoszącym już od 1,5 V, krótkim czasem regeneracji i bardzo dobrymi parametrami termicznymi, wynikającymi z właściwości podłoży SiC.

Są one produkowane na napięcie przebicia 1200 V i na zakres prądów przewodzenia od 2 do 40 A. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101. Producent zaleca je do zastosowań w przemyśle (napędy, falowniki, zasilacze UPS) i elektronice samochodowej.

Diody z nowej rodziny STPSC mogą pracować w szerokim zakresie temperatur złącza do +175°C. Występują w wersjach pojedynczych i podwójnych. Są produkowane w obudowach do montażu przewlekanego (TO-220AC i TO-247LL - Long-Lead) oraz do montażu powierzchniowego (DPAK HV - High-Voltage i D2PAK).

ST jest obecnie jedynym dostawcą oferującym 1200-woltowe diody Schottky’ego w obudowach D2PAK. Ceny hurtowe diod STPSC zaczynają się od 2,50 USD przy zamówieniach 1000 sztuk w przypadku 10-amperowego modelu STPSC10H12D w obudowie TO-220AC.