wersja mobilna
Online: 614 Czwartek, 2017.11.23

Biznes

10 czołowych producentów pamięć DRAM ukaranych przez Komisję Europejską

czwartek, 20 maja 2010 08:29

Komisja Europejska nałożyła karę grzywny na 10 czołowych firm z branży elektronicznej. W latach 1998-2002 producenci modułów pamięci DRAM przekazywali między sobą poufne informacje, dzięki którym mogli kształtować ceny rynkowe urządzeń.

Łączna kwota kary wyniosła 331 mln euro. Prawie połowę, bo aż 146 mln euro, będzie musiał zapłacić Samsung. W związku z tym, że wszystkie firmy przyznały się do winy, Komisja Europejska obniżyła wysokość grzywien o 10%.

Lista producentów pamięci DRAM ukaranych przez Komisję Europejską
Firma Kwota grzywny (mln euro)
Samsung 145,7
Infineon 56,7
Hynix 51,5
Hitachi 20,4
Toshiba 17,6
Mitsubishi 16,6
NEC 10,3
Elpida/NEC/Hitachi 8,5
Nanya 1,8
 

World News 24h

czwartek, 23 listopada 2017 19:53

An Israel-based semiconductor startup has reported positive results with its ReRAM technology. Weebit Nano recently published preliminary evaluation results of endurance and data retention measurement on 4Kb arrays on 300nm cells. In a telephone interview with EE Times, CEO Coby Hanoch said the results successfully conclude the 300nm 4Kb characterization. The measurement was done under a variety of temperature and duration conditions at 150, 200 and 260 degrees Celsius, monitoring the ability of the ReRAM cells to maintain their resistivity levels within industry acceptable ranges. Hanoch said 260 degrees Celsius is significant since it's the temperature used when soldering chipsets into printed circuit boards.

więcej na: www.eetimes.com