wersja mobilna
Online: 1120 Poniedziałek, 2017.11.20

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

poniedziałek, 20 listopada 2017 18:02

Samsung Electronics promoted 221 executives on November 16. The number is the largest since 2014, when 227 were promoted. The large-scale reshuffle implies a change of generation. Earlier, Samsung Electronics replaced many of its older presidents with those in their 50s. The 221 executives including seven females are divided into 27 vice presidents, 60 senior managing directors, 118 managing directors, one fellow, and 15 masters. No less than 99 got a promotion in the Device Solutions Division alone. The division recently posted an all-time high profit. This year, Samsung Electronics boosted the number of new vice presidents so that its pool of CEO candidates can be expanded.

więcej na: www.businesskorea.co.kr