wersja mobilna
Online: 404 Poniedziałek, 2018.01.22

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

poniedziałek, 22 stycznia 2018 11:58

Scientists at the Technical University of Munich have developed a novel electric propulsion technology for nanorobots. It allows molecular machines to move a hundred thousand times faster than with the biochemical processes used to date. This makes nanobots fast enough to do assembly line work in molecular factories. The points of light alternate back and forth in lockstep. They are produced by glowing molecules affixed to the ends of tiny robot arms. Prof. Friedrich Simmel observes the movement of the nanomachines on the monitor of a fluorescence microscope. A simple mouse click is all it takes for the points of light to move in another direction.

więcej na: www.tum.de