wersja mobilna
Online: 402 Poniedziałek, 2018.04.23

Biznes

Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

czwartek, 19 maja 2011 07:05

Hynix opracował 2-gigabitowy układ pamięci DRAM typu DDR4 i wraz z nim moduł pamięci o pojemności 2GB. Układ pamięci wykonano przy użyciu technologii procesu klasy 30nm, tj. w przedziale wymiaru od 30 do 39nm. Hynix planuje uruchomienie produkcji seryjnej DDR4 w drugiej połowie 2012 r.

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

 

World News 24h

niedziela, 22 kwietnia 2018 20:05

The world's first Android-based smartphone with 3D facial recognition technology is unlikely to hit the market until the third quarter of 2018 due to insufficient capability to integrate related hardware and software at 3D sensing solution providers, according to Digitimes Research. While the 3D sensing module jointly developed by Qualcomm, Himax Technologies and Truly Opto-electronics is believed to be the most mature 3D sensing solution currently available in the market, the limit of using only Qualcomm's Snapdragon 845 CPU in the module has deterred the top-five Android phone makers, with the exception of Xiaomi Technology, from using this module for their high-end models.

więcej na: www.digitimes.com